[发明专利]作为电介质的聚酰亚胺无效
申请号: | 201380017306.1 | 申请日: | 2013-03-27 |
公开(公告)号: | CN104220487A | 公开(公告)日: | 2014-12-17 |
发明(设计)人: | H·J·科奈尔;S·洛伊恩贝格尔;E·马丁 | 申请(专利权)人: | 巴斯夫欧洲公司 |
主分类号: | C08G73/10 | 分类号: | C08G73/10;H01B3/30 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 刘娜;刘金辉 |
地址: | 德国路*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 作为 电介质 聚酰亚胺 | ||
1.一种电子器件,含有至少一种介电材料,其包含衍生自伯芳族二胺和芳族二酐单体结构部分的聚酰亚胺,其中所述结构部分的一种或多种在芳族环上含有至少一个选自丙基和丁基,特别是选自异丙基、异丁基、叔丁基的取代基。
2.根据权利要求1的电子器件,选自电容器、晶体管如有机场效应晶体管和包含所述电容器和/或晶体管的器件。
3.根据权利要求1或2的电子器件,其中所述聚酰亚胺符合如下结构:
其中n为10-100。
4.根据权利要求1-3中任一项的电子器件,其中所述伯芳族二胺具有下式:
其中
L1独立地为O、S、C1-10亚烷基、亚苯基或C(O),特别是C1-C3亚烷基如CH2;
和
A各自独立地选自氢和C1-C4烷基,条件是聚酰亚胺A中40个残基A中至少1个,特别是40个残基A中2-39个,更特别是40个残基A中5-35个为丙基或丁基,特别是异丙基或异丁基或叔丁基;最特别是异丙基。
5.根据权利要求1-4中任一项的电子器件,其中所述聚酰亚胺包含式(IIa)和(IIb)的结构部分:
其中
L1独立地为O、S、C1-10亚烷基、亚苯基或C(O),特别是C1-C3亚烷基如CH2;
L2独立地选自羰基、氧、硫;特别是羰基;和
A各自独立地选自氢和C1-C4烷基,条件是聚酰亚胺A中40个残基A中至少1个,特别是40个残基A中2-39个,更特别是40个残基A中5-35个为丙基或丁基,特别是异丙基或异丁基或叔丁基;最特别是异丙基。
6.根据权利要求1-5中任一项的电子器件,其中所述聚酰亚胺具有150℃以上的玻璃化转变温度和/或5,000-1,000,000g/mol,优选5,000-40,000g/mol的分子量,如凝胶渗透色谱法所测量。
7.根据权利要求1-6中任一项的电子器件,进一步包含基材且包含至少一个另外的功能材料层,其与聚酰亚胺电介质直接接触。
8.根据权利要求7的电子器件,其中根据权利要求1或3-6中任一项的介电材料层与电极层和/或半导体层直接接触。
9.根据权利要求8的电子器件,其中介电材料层与p型传导性的半导体层直接接触,特别是包括选自如下的半导体材料:红萤烯、并四苯、并五苯、6,13-二(三异丙基乙炔基)并五苯、二茚并苝、苝二酰亚胺、四氰代二甲基苯醌、聚噻吩如聚3-己基噻吩、聚芴、聚丁二炔、聚2,5-亚噻吩基亚乙烯、聚对亚苯基亚乙烯以及包含具有二酮基吡咯并吡咯基团的重复单元的聚合物。
10.一种在基材上制备电子器件如电容器或晶体管的方法,所述方法包括以下步骤:
i)通过将聚酰亚胺A施用于导体或半导体层上或基材上而形成含聚酰亚胺A的层,和
ii)辐照和/或加热含聚酰亚胺A的层以形成固化层,
其特征在于聚酰亚胺A含有衍生自伯芳族二胺和芳族二酐的结构部分,其中所述二胺和/或二酐结构部分,特别是二胺结构部分在芳族环上被至少一个选自丙基和丁基的烷基结构部分取代。
11.根据权利要求10的方法,其中所述聚酰亚胺如权利要求3-6中任一项所定义。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于巴斯夫欧洲公司,未经巴斯夫欧洲公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380017306.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:控制按钮及控制系统
- 下一篇:利用碱液实现粗四氯化钛除杂的方法
- 同类专利
- 专利分类