[发明专利]用于使用相变材料的冷却设备的方法和装置

权利要求书

1.一种装置，包括：

具有金属氢化物的容器；所述容器被安装到表面，以通过从所述金属氢化物中释放出的氢将热量传导离开所述表面。

2.如权利要求1所述的装置，还包括通过可控阀流体耦合到所述第一容器的第二容器。

3.如权利要求2所述的装置，其中所述第二容器包括吸收从所述第一容器中的所述金属氢化物中释放出的氢的物质。

4.如权利要求3所述的装置，其中所述物质包括第二金属氢化物，所述第二金属氢化物具有与所述第一金属氢化物相同或比所述第一金属氢化物低的相变温度。

5.如权利要求4所述的装置，其中所述第二金属氢化物包括LaNi4.8Sn0.2。

6.如权利要求2所述的装置，其中所述阀是PEM阀。

7.如权利要求2所述的装置，还包括控制器，用以与功率骤增事件相关联地打开所述阀。

8.如权利要求2所述的装置，其中所述第二容器具有热安装到其表面的至少一部分的固液相变材料。

9.如权利要求8所述的装置，其中所述固液相变材料包括石蜡。

10.如权利要求1所述的装置，其中所述金属氢化物包括MmNi4.15Fe0.85。

11.一种计算平台，包括：

芯片封装；以及

具有金属氢化物的容器；所述容器热传导地安装到所述芯片封装的表面，以将热量传导离开所述芯片封装。

12.如权利要求11所述的计算平台，还包括通过可控阀流体耦合到所述第一容器的第二容器。

13.如权利要求12所述的计算平台，其中所述第二容器包括吸收从所述第一容器中的所述金属氢化物中释放出的氢的物质。

14.如权利要求13所述的计算平台，其中所述物质包括第二金属氢化物，所述第二金属氢化物具有与所述第一金属氢化物相同或比所述第一金属氢化物低的相变温度。

15.如权利要求14所述的计算平台，其中第二金属氢化物包括LaNi4.8Sn 0.2。

16.如权利要求12所述的计算平台，其中所述阀是PEM阀。

17.如权利要求12所述的计算平台，还包括控制器，用以与对于所述芯片封装的功率骤增事件相关联地打开所述阀。

18.如权利要求11所述的计算平台，其中所述金属氢化物包括MmNi4.15Fe0.85。

19.一种计算平台，包括：

处理器芯片；

具有第一金属氢化物的第一容器，所述第一容器被安装成将热量传导离开所述处理器芯片并进入所述第一容器中；以及

具有第二金属氢化物的第二容器，所述第二容器通过可控阀流体耦合到所述第一容器。

20.如权利要求19所述的计算平台，其中所述处理器芯片是用于平板计算机或智能电话的SOC芯片。