[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法和显示装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其具备基板和在所述基板上形成的薄膜晶体管，

所述薄膜晶体管具有：栅极电极；在所述栅极电极上形成的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成的氧化物半导体层；和与所述氧化物半导体层电连接的源极电极和漏极电极，

所述半导体装置的特征在于，还具备：

层间绝缘层，该层间绝缘层包括与所述源极电极和所述漏极电极接触的保护层；

在所述层间绝缘层上形成的第一透明电极；

在所述第一透明电极上形成的电介质层；

在所述电介质层上，以隔着所述电介质层与所述第一透明电极的至少一部分重叠的方式形成的第二透明电极；

与所述栅极电极由相同的导电膜形成的辅助电容配线；

第一连接层，该第一连接层与所述辅助电容配线电连接，并且与所述源极电极或所述漏极电极由相同的导电膜形成；和

第二连接层，该第二连接层与所述第二透明电极由相同的导电膜形成，并且不与所述第二透明电极电连接，

位于所述第一连接层与所述第二连接层之间的绝缘层，具有使所述第二连接层与所述第一透明电极以及所述第一连接层电连接的连接开口部，

在从所述基板的法线方向看时，所述第二连接层和所述连接开口部分别与所述第一连接层的至少一部分重叠，

所述第一透明电极具有在从所述基板的法线方向看时与所述第一连接层重叠的部分，

与所述第一连接层重叠的部分具有在从所述基板的法线方向看时，对称点位于所述连接开口部内的点对称的形状，

所述第一透明电极不与所述第一连接层直接接触，

所述第一透明电极的一部分与所述第二连接层直接接触，

所述第一连接层与所述第二连接层直接接触，

所述第一透明电极通过所述第一连接层以及所述第二连接层与所述辅助电容配线电连接。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述第二连接层覆盖所述连接开口部的侧面的至少一部分。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：

在与所述基板垂直并且包含所述对称点的第一截面，所述第一透明电极的一部分与所述第二连接层接触，

在与所述基板垂直、包含所述对称点并且与所述第一截面不同的第二截面，所述第一透明电极不与所述第二连接层接触。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

所述连接开口部包括：在所述保护层形成的第一开口部；和在所述电介质层形成的第二开口部，

所述第二开口部的侧面的至少一部分与所述第一开口部的侧面对齐。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：

所述层间绝缘层还包括有机绝缘层，

所述有机绝缘层具有在从所述基板的法线方向看时与所述第一连接层重叠的第三开口部，

所述第一开口部和第二开口部的至少一部分形成在所述第三开口部内。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：

所述第一透明电极覆盖所述第三开口部的侧面的至少一部分。

7.如权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

还具有以覆盖所述氧化物半导体层的沟道区域的方式形成的蚀刻阻挡层，

所述栅极绝缘层形成在所述辅助电容配线上，

所述蚀刻阻挡层形成在所述栅极绝缘层上，

所述栅极绝缘层和所述蚀刻阻挡层具有在从所述基板的法线方向看时与所述辅助电容配线重叠的第四开口部，

在所述第四开口部内，所述栅极绝缘层的侧面的至少一部分与所述蚀刻阻挡层的侧面对齐，

所述第一连接层覆盖所述第四开口部中的、所述栅极绝缘层的侧面和所述蚀刻阻挡层的侧面的至少一部分。