[发明专利]受光器件有效
申请号: | 201380016380.1 | 申请日: | 2013-03-28 |
公开(公告)号: | CN104247018B | 公开(公告)日: | 2016-11-23 |
发明(设计)人: | 爱迪生·古梅斯·柯曼尔古 | 申请(专利权)人: | 旭化成微电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L27/146;H01L31/10 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 器件 | ||
1.一种受光器件,具备由形成在同一衬底上的第一受光部和第二受光部以及第一输出端子和第二输出端子构成的电路图案,该受光器件的特征在于,
上述第一受光部和上述第二受光部分别具有:
半导体层叠部,其形成具有第一导电型半导体层和第二导电型半导体层的PN结或者PIN结的光电二极管结构;
第一电极,其与上述第一导电型半导体层相连接;以及
第二电极,其与上述第二导电型半导体层相连接,
其中,上述第一受光部的第一电极与上述第二受光部的第一电极相连接,
上述第一受光部的第二电极与上述第一输出端子相连接,
上述第二受光部的第二电极与上述第二输出端子相连接,
在上述第一输出端子与上述第二输出端子之间输出在上述第一受光部和上述第二受光部中产生的信号的差。
2.根据权利要求1所述的受光器件,其特征在于,
还具备形成在上述同一衬底上的第三受光部和第四受光部以及第三输出端子和第四输出端子,
上述第三受光部和上述第四受光部分别具有:
半导体层叠部,其形成具有第一导电型半导体层和第二导电型半导体层的PN结或者PIN结的光电二极管结构;
第一电极,其与上述第一导电型半导体层相连接;以及
第二电极,其与上述第二导电型半导体层相连接,
其中,上述第三受光部的第二电极和上述第四受光部的第二电极与上述第一受光部的第一电极和上述第二受光部的第一电极相连接,
上述第三受光部的第一电极与上述第三输出端子相连接,
上述第四受光部的第一电极与上述第四输出端子相连接。
3.根据权利要求1或者2所述的受光器件,其特征在于,
还具备电流-电压变换放大器,该电流-电压变换放大器与上述第一输出端子和上述第二输出端子相连接。
4.根据权利要求2所述的受光器件,其特征在于,还具备:
第一减法电路,其与上述第一输出端子和上述第二输出端子相连接;
第二减法电路,其与上述第三输出端子和上述第四输出端子相连接;
第三减法电路,其与上述第一输出端子和上述第三输出端子相连接;
第四减法电路,其与上述第二输出端子和上述第四输出端子相连接;以及
加法电路,其与上述第三减法电路和上述第四减法电路的输出端子相连接。
5.根据权利要求3或者4所述的受光器件,其特征在于,
上述输出端子分别经由电流-电压变换放大器与上述减法电路相连接。
6.根据权利要求3~5中的任一项所述的受光器件,其特征在于,
上述输出端子与上述减法电路不经由开关元件进行连接。
7.根据权利要求1所述的受光器件,其特征在于,
受光器件在同一衬底上具备两个上述电路图案,
该受光器件还具备:
第一布线层,其对一个上述电路图案中的上述第一受光部的第一电极与上述第二受光部的第一电极进行连接;以及
第二布线层,其对另一个上述电路图案中的上述第一受光部的第一电极与上述第二受光部的第一电极进行连接,
其中,上述第一布线层和上述第二布线层形成为在交叉部处相互交叉,
在上述交叉部处的上述衬底上形成有第一导电型半导体层,
在上述交叉部处,
上述第一布线层隔着绝缘层形成在上述交叉部的上述第一导电型半导体层上,
上述第二布线层经由形成在上述绝缘层的一部分的接触孔与上述交叉部的上述第一导电型半导体层电连接。
8.根据权利要求1~7中的任一项所述的受光器件,其特征在于,
上述半导体层叠部由含有铟和/或锑的材料构成。
9.一种位置检测器件,其特征在于,具备:
根据权利要求1~8中的任一项所述的受光器件;以及
视场角限制体,其对入射到上述受光器件的上述受光部的光的入射方向进行控制。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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