[发明专利]有机半导体组合物

权利要求书

1.有机半导体组合物，其包含多环芳族烃共聚物PAHC和多并苯小分子，其中所述PAHC具有3.4-8.0的在1000Hz下的电容率，和其中所述PAHC包含至少一种具有式(A)的杂并苯单体单元和至少一种具有式(B)的单体单元的混合物：

其中式(A)的单体可为纯的顺式异构体、或纯的反式异构体、或顺式和反式异构体的混合物；

Y¹和Y²独立地为O、S、Se或NR””，

R””为H或环状、直链或支化的C₁-C₁₀烷基，

其中R¹、R²、R³、R⁴、R⁵、R⁶、R⁷、R⁸、R⁹、R¹⁰、R¹¹、R¹²、R¹³和R¹⁴各自可相同或不同，独立地代表氢；支化或未支化的、取代或未取代的C₁-C₄₀烷基；支化或未支化的、取代或未取代的C₂-C₄₀烯基；支化或未支化的、取代或未取代的C₂-C₄₀炔基；任选地取代的C₃-C₄₀环烷基；任选地取代的C₆-C₄₀芳基；任选地取代的C₁-C₄₀杂环基；任选地取代的C₁-C₄₀烷氧基；任选地取代的C₆-C₄₀芳氧基；任选地取代的C₇-C₄₀烷基芳氧基；任选地取代的C₂-C₄₀烷氧羰基；任选地取代的C₇-C₄₀芳氧羰基；氰基(-CN)；-C(＝O)NR¹⁵R¹⁶；-C(＝O)-R¹⁷；-CO₂R¹⁸；氰酸酯基(-OCN)；异氰基(-NC)；异氰酸酯基(-NCO)；硫氰酸酯基(-SCN)或异硫氰酸酯基(-NCS)；任选地取代的氨基；羟基；硝基；CF₃基团；卤素基团Cl、Br、F、或I；-SR¹⁹；-SO₃H；-SO₂R²⁰；-SF₅；或任选地取代的甲硅烷基；

其中R¹⁵、R¹⁶、R¹⁸、R¹⁹和R²⁰各自独立地代表H或任选地取代的任选地包含一个或多个杂原子的C₁-C₄₀碳基；

其中R¹⁷代表卤素原子、H或任选地取代的任选地包含一个或多个杂原子的C₁-C₄₀碳基；

其中k和l独立地为0、1或2；

其中R¹、R²、R³、R⁴、R⁸、R⁹、R¹⁰和R¹¹的至少两个为到另外的具有式(A)或(B)的单体单元的由-^＊代表的键，和

其中各R^1'、R^2'、R^3'和R^4'各自可相同或不同，选自与R¹、R²、R³、R⁴相同的基团；和对于单体基团(B)，-^＊代表到另外的具有式(A)或(B)的单体单元的键；和其中R^1'、R^2'、R^3'、R^4'可相同或不同，各自独立地代表氢；支化或未支化的、取代或未取代的C₁-C₄₀烷基；支化或未支化的、取代或未取代的C₂-C₄₀烯基；支化或未支化的、取代或未取代的C₂-C₄₀炔基；任选地取代的C₃-C₄₀环烷基；任选地取代的C₆-C₄₀芳基；任选地取代的C₁-C₄₀杂环基；任选地取代的C₁-C₄₀烷氧基；任选地取代的C₆-C₄₀芳氧基；任选地取代的C₇-C₄₀烷基芳氧基；任选地取代的C₂-C₄₀烷氧羰基；任选地取代的C₇-C₄₀芳氧羰基；氰基(-CN)；-C(＝O)NR¹⁵R¹⁶；-C(＝O)-R¹⁷；-CO₂R¹⁸；氰酸酯基(-OCN)；异氰基(-NC)；异氰酸酯基(-NCO)；硫氰酸酯基(-SCN)或异硫氰酸酯基(-NCS)；任选地取代的氨基；羟基；硝基；CF₃基团；卤素基团Cl、Br、F、或I；-SR¹⁹；-SO₃H；-SO₂R²⁰；-SF₅；任选地取代的甲硅烷基；和

其中所述共聚物为无规共聚物。