[发明专利]测量EUV镜头的成像质量的测量系统

权利要求书

1.一种用于测量EUV镜头的成像质量的测量系统，包括：

-衍射测试结构，所述衍射测试结构实现为孔结构；

-测量光辐射装置，构造成将处于EUV波长范围中的测量光辐射至所述测试结构上；

-变更装置，用于改变所述测试结构借助所述镜头实现的成像的至少一个像确定参数；

-探测器，用于记录像堆，所述像堆包括在设定不同像确定参数的情况下产生的多个像；以及

-评估装置，构造成从所述像堆确定所述镜头的成像质量，并且还构造成：对于所述孔结构的尺寸，在确定所述镜头的成像质量时借助优化计算确定与实际尺寸的偏离值。

2.如权利要求1所述的测量系统，

其中，所述测试结构是测试掩模的一部分，所述测试掩模关于所述测量光具有反射效应，并且所述测试掩模包括多层布置。

3.如权利要求2所述的测量系统，

其中，所述测试结构被实现在施加至所述多层布置上的吸收层中。

4.如权利要求1所述的测量系统，

其中，所述衍射测试结构是测试掩模的一部分，所述测量光辐射装置构造成将所述测量光以掠入射辐射至所述测试掩模上。

5.如权利要求1所述的测量系统，包括测试掩模，所述测试掩模具有切口形式的衍射测试结构以及相对于所述具有切口形式的衍射测试结构偏移的照明切口，其中，在所述测试掩模的相对于所述测量光辐射装置的相反侧布置反射元件，所述反射元件构造成在所述测量光穿过所述照明切口之后将所述测量光引导通过所述测试结构的切口。

6.如权利要求5所述的测量系统，

其中，所述反射元件实现为关于所述测量光以聚焦方式作用。

7.如权利要求5所述的测量系统，

其中，在所述测试掩模的相对于所述测量光辐射装置的相反侧布置两个其它反射元件，使得所述测量光在穿过所述照明切口之后、在穿过所述测试结构的切口之前附加地在所述两个其它反射元件处偏转。

8.如权利要求5至7任一项所述的测量系统，

其中，所述反射元件实现为漫射板。

9.如权利要求5至7任一项所述的测量系统，

其中，所述测试掩模和所述反射元件是掩模模块的一部分，所述掩模模块具有构造成在用于光刻的EUV投射曝光设备中曝光的产品掩模母版的尺寸。

10.如上述权利要求5至7任一项所述的测量系统，

还包括布置在所述测量光与所述衍射测试结构相互作用之后的测量光光路中的校正板，所述校正板构造成对所述测量光具有光学效应，所述光学效应在所述校正板处在横向于所述测量光的传播方向的方向上变化。

11.如权利要求10所述的测量系统，

其中，所述校正板包括具有变化厚度的透射层。

12.一种包括用于检验设备的EUV镜头和包括根据上述权利要求任一项所述的用于测量所述EUV镜头的成像质量的测量系统的布置。

13.一种检验用于微光刻的基板的表面的检验设备，包括借助成像辐射将基板的要检验表面的至少一部分成像至探测平面中的EUV镜头，并包括用于测量所述EUV镜头的成像质量的如权利要求1至12任一项所述的测量系统。

14.如权利要求13所述的检验设备，

所述检验设备具有用于保持要检验的基板的物体保持器，其中，所述测试结构布置在所述物体保持器上，所述物体保持器安装成使得其能够在检验位置和测量位置之间移位，在检验位置中，要检验的基板布置在所述测量光的光路中，在测量位置中，所述测试结构布置在所述测量光的光路中。

15.如前述权利要求1-7中任一项所述的测量系统，包含测试掩模，所述测试掩模包括测试结构，所述测试结构构造成在用EUV波长范围中的测量光照射时产生测试波，所述测试波的波前与理想球形形状具有0.1nm或更小的最大偏差。