[发明专利]具有至少一个金属生长层的电子结构以及用于制造电子结构的方法

说明书

技术领域

不同的实施方式涉及一种电子结构以及一种用于制造这种电子结构的方法。

背景技术

具有导电的层结构的电子结构是已知的。导电的层结构例如用作为透明的OLED(有机发光二极管)构件中的阴极接触部。对于这种应用而言，通常需要两个透明的电极，例如透明的ITO(铟锡氧化物)阳极以用于空穴注入和透明的Ag(银)阴极以用于电子注入。已知的是：Ag阴极例如借助于PVD(物理气相沉积)作为Ag膜热蒸镀到有机电子传输层上。

根据N.Kaiser等,Applied Optics,41卷,16期,3053-3060页(2002)，经由核的构成以及经由生长行为来表征薄的金属膜的生长。在此，根据在要用金属膜覆层的表面物质的边界面上的表面原子和所谓的吸附原子之间的原子间交互作用，大致以三种生长模式区分要覆层的表面的表面原子上的金属膜的逐渐积聚的原子：

·根据Frank-van-der-Merwe模式(层状模式)(层生长)，新的层均匀地以单层的方式在表面上生长。表面原子和吸附原子之间的原子间交互作用大于相邻的吸附原子之间的交互作用。满足所述条件的表面是用于所给定的吸附原子的良好的所谓的助粘剂。

·根据Volmer-Weber模式(岛状模式)(岛生长)，吸附原子岛状地生长。相邻的吸附原子之间的原子间交互作用大于吸附原子和表面原子之间。

·根据Stranski-Krastanow模式(层状岛状模式)(层生长和岛生长)，表面原子和吸附原子之间的原子间交互作用进而在吸附原子的第一单层上的附着力首先高于在纯表面上。由此，初始形成至少一个完全闭合的单层。从临界的层厚度起，向上进行岛状的生长，因为相邻的吸附原子之间的原子间交互作用随着金属膜的层厚度增大。

三种生长模式能够大致以热力学的方式经由接触角和表面能之间的相互作用借助于所谓的杨氏方程来描述。

在此，γ_B表示要覆层的表面物质的表面能，γ_A表示要涂覆的金属膜的表面能，γ*表示要覆层的表面和金属膜表面之间的边界面能并且表示γ_A和γ*之间的接触角。

对于层状模式而言，对于每个位置适用的是进而

γ_B>γ*+γ_A(2)

对于岛状模式而言，对于每个位置(单质外延体系)适用的是进而

γ_B<γ*+γ_A (3)

对于层状岛状模式而言，首先是适用的进而

γ_B>γ*+γ_A (2)

并且最后自临界位置起，随着层厚度增大，边界面能γ*也增大，φ>0进而

γ_B<γ*+γ_A(3)

已知的是，金属膜在异质外延体系中原则上岛状地根据岛状模式在表面上生长。

表面上的吸附原子的这种岛首先对于可见波长范围中以及红外范围中的辐射是透明的。自达到所谓的渗透层厚度起、即达到岛生长至使得其彼此接触的层厚度起，金属膜形成连续的层结构。该过程也称作为聚结。金属膜的层结构首先对于可见波长范围中的辐射是透明的并且在红外范围中反射。然而，随着层厚度增大，可见波长范围中的辐射也被反射，因此，金属膜的透明度随着层厚度增大而显著下降。

如果在相邻的吸附原子之间存在突出的原子间交互作用，那么岛生长还附加地通过内在的热扩散来促进。这种热扩散过程能够借助于阿伦纽斯方程来描述。

D＝D₀*exp^[-ΔE/kT](4)

在此，D表示给定温度T(以开尔文为单位)的情况下的扩散系数，D₀表示所谓的指前因子，k表示玻尔兹曼常数并且ΔE表示扩散过程所需要的活化能。

对于足够低的温度而言适用的是ΔE>kT，进而用于扩散过程的活化能(ΔE)大于表面的热能(kT)，这使扩散变难并且吸附原子附着在其在表面上的吸附位置上。