[发明专利]基板处理装置以及加热器清洗方法

说明书

技术领域

本发明涉及具备加热器的基板处理装置以及用于清洗该加热器的加热器清洗方法，该加热器具有红外线灯且用于对基板实施加热处理。成为加热处理对象的基板中例如包含：半导体晶片、液晶显示装置用玻璃基板、等离子显示器用基板、场发射显示器(Field Emission Display)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、磁光盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等基板。

背景技术

在半导体装置制造工序中包含例如在半导体晶片(以下简称为“晶片”)的主面(表面)上局部注入磷、砷、硼等杂质(离子)的工序。在该工序中，为了防止对不需要的部分注入离子，在晶片表面上形成由感光性树脂构成的抗蚀剂的图案，不需要注入离子的部分被抗蚀剂掩盖。由于在晶片表面上形成的抗蚀剂图案在注入离子之后不再需要，所以在注入离子后，进行用于除去该晶片表面上的不需要的抗蚀剂的抗蚀剂除去处理。

在有代表性的抗蚀剂除去处理中，在晶片表面上照射氧等离子、晶片表面上的抗蚀剂被灰化。而且，对晶片表面供给硫酸和双氧水的混合液即硫酸双氧水混合液(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture：SPM液)等药液。由此，灰化的抗蚀剂被除去，从晶片表面除去了抗蚀剂。

但是，用于进行抗蚀剂的灰化的氧等离子的照射会对晶片表面上未用抗蚀剂覆盖的部分(例如，从抗蚀剂暴露出的氧化膜)带来损伤。

因此，最近正在关注如下方法：不进行抗蚀剂的灰化，对晶片表面供给SPM液，通过该SPM液中包含的过氧硫酸(H₂SO₅)的强氧化力，从晶片表面剥离抗蚀剂并除去。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005-93926号公报

发明内容

发明要解决的问题

本申请的发明人为了实现使供给到基板主面的药液的进一步高温化，讨论了在处理药液时，对供给到基板主面的药液进行加热。具体来讲，通过将具有红外线灯和收纳该红外线灯的外壳的加热器与基板主面隔开间隔相对配置，对存在于基板主面上的药液进行加热。

但是，在通过红外线灯对药液进行加热处理时，药液急剧升温，在基板主面的周边产生大量的药液雾。在进行加热处理时产生的药液雾附着在与基板主面相对的加热器外壳的下表面。当药液雾附着在外壳下表面而被放置时，由于外壳的下表面的红外线透过率的降低，释放到外壳外的红外线的照射光量降低。不仅如此，药液雾会干燥结晶，由此，外壳下表面有可能变成颗粒源。因此，每处理一张基板，都需要清洗走附着在加热器的外壳下表面的药液。

作为对加热器的外壳进行清洗的方法，考虑有如下方法：设有条形喷嘴，所述条形喷嘴的朝向垂直下方的多个喷出口沿水平方向排列成一列或多列，将来自各喷出口的处理液从上方供给至加热器。但是，在这样的方法中，难以使清洗液遍历加热器的外壳的下表面全部区域。

本发明的目的在于提供一种能够良好地清洗加热器的基板处理装置以及加热器清洗方法。

用于解决问题的手段

本发明提供一种对加热器进行清洗的加热器清洗方法，所述加热器与通过基板保持单元保持的基板的上表面(上侧主面)相对配置并用于对该上表面进行加热。加热器具有红外线灯和外壳。所述加热器清洗方法包含以下工序：加热器配置工序，在加热器清洗位置，以与第一喷出口相对置的方式配置所述加热器，所述加热器清洗位置是具有所述第一喷出口的下喷嘴的上方的位置，所述第一喷出口与保持于所述基板保持单元的基板的下表面相对置并且向上方喷出液体；下清洗液喷出工序，在所述基板保持单元未保持基板的状态下，对所述下喷嘴供给清洗液，从所述第一喷出口向上方喷出清洗液，从而对配置在所述加热器清洗位置的所述加热器的所述外壳的外表面供给清洗液。

根据本方法，在第一喷出口的上方的加热器位置配置加热器，由此，加热器与第一喷出口相对置。在这种状态下，从第一喷出口向上方喷出清洗液。来自第一喷出口的清洗液向上方喷出，着液到配置于加热器清洗位置的加热器的外壳的下部外表面，对该下部外表面进行清洗。

加热器用于对保持于基板保持单元的基板进行加热的加热处理。在进行该加热处理时，基板表面与外壳的下部外表面相对配置。因此，在加热处理之后，异物有可能附着在外壳的下部外表面。这样的异物能够通过从第一喷出口向上方即向外壳的下部外表面供给的清洗液冲走。由此，能够良好地清洗外壳的外表面，因此，能够将外壳的外表面保持为清洁状态。