[发明专利]光电子器件和用于制造光电子器件的方法有效
申请号: | 201380015299.1 | 申请日: | 2013-03-13 |
公开(公告)号: | CN104205394B | 公开(公告)日: | 2017-07-21 |
发明(设计)人: | 阿恩特·耶格;卡罗拉·迭斯;乌尔里希·尼德迈尔;斯特凡·塞德尔;托马斯·多贝廷;冈特·施密德 | 申请(专利权)人: | 欧司朗OLED股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 丁永凡,张春水 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电子 器件 用于 制造 方法 | ||
1.一种光电子器件(100),具有:
第一有机功能层结构(112);
第二有机功能层结构(116);和
在所述第一有机功能层结构(112)和所述第二有机功能层结构(116)之间的载流子对生成层结构(114),其中所述载流子对生成层结构(114)具有:
·第一传导电子的载流子对生成层(306);其中所述第一传导电子的载流子对生成层(306)具有本征传导电子的材料或由其形成;
·第二传导电子的载流子对生成层(302);和
·在所述第一传导电子的载流子对生成层(306)和所述第二传导电子的载流子对生成层(302)之间的中间层(304);和
·其中所述中间层(304)具有至少一种酞菁衍生物。
2.根据权利要求1所述的光电子器件(100),
其中所述第一传导电子的载流子对生成层(306)的材料具有HAT-CN、Cu(I)pFBz、MoOx、WOx、VOx、ReOx、F4-TCNQ、NDP-2、NDP-9、Bi(III)pFBz或F16CuPc或由其形成。
3.根据权利要求1所述的光电子器件(100),
其中第二有机功能层结构(116)具有空穴传输层(210)并且其中所述空穴传输层(210)在所述第一传导电子的载流子对生成层(306)上或上方构成。
4.根据权利要求3所述的光电子器件(10),
其中所述空穴传输层(210)由本征传导空穴的材料或由基体和p型掺杂物组成的材料混合物形成。
5.根据权利要求1所述的光电子器件(100),
其中所述第二传导电子的载流子对生成层(302)具有本征传导电子的材料或由其形成,或者其中所述第二传导电子的载流子对生成层(302)由基体和n型掺杂材料组成的材料混合物形成。
6.根据权利要求1所述的光电子器件(100),
其中所述中间层(304)具有选自下述组的一种材料或多种材料或由其形成:
·无机材料
·有机材料,和
·有机-无机混合材料。
7.根据权利要求1所述的光电子器件(100),
其中所述中间层(304)具有与所述第一传导电子的载流子对生成层(306)的材料或材料混合物相同的材料或相同的材料混合物,或者由其形成,其中然而所述材料或所述材料混合物具有不同的物理结构,或者其中所述中间层(304)具有与所述第二传导电子的载流子对生成层(302)的材料或材料混合物相同的材料或相同的材料混合物,或者由其形成,其中然而所述材料或所述材料混合物具有不同的物理结构。
8.根据权利要求1所述的光电子器件(100),
其中至少一种所述酞菁衍生物具有至少一种金属酞菁衍生物或金属氧化物酞菁衍生物或未取代的酞菁衍生物或由其构成。
9.根据权利要求8所述的光电子器件(100),
其中所述酞菁衍生物选自下述组:氧化钒酞菁(VOPc)、氧化钛酞菁(TiOPc)、铜酞菁(CuPc)、未取代的酞菁(H2Pc)、钴酞菁(CoPc)、铝酞菁(AlPc)、镍酞菁(NiPc)、铁酞菁(FePc)、锌酞菁(ZnPc)或锰酞菁(MnPc)。
10.根据权利要求1所述的光电子器件(100),
其中所述光电子器件(100)构建成有机发光二极管(100)。
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