[发明专利]包括细长体导电元件阵列的微米级电容器和纳米级电容器

权利要求书

1.一种包括符合细长体阵列形状的导电元件的电容器，包括:

第一导电元件，其符合细长体阵列形状；

第二导电元件，其符合细长体阵列形状；以及

电介质材料，其布置在所述第一导电元件和所述第二导电元件之间，且由此在物理分隔所述第一导电元件和所述第二导电元件。

2.根据权利要求1所述的电容器，其中：

所述第一导电元件和所述第二导电元件是被配置为相互交叉但物理上彼此不接触的不同结构。

3.根据权利要求2所述的电容器，其中，所述电极间的间隙小于约10μm。

4.根据权利要求2所述的电容器，其中，所述第一导电元件和所述第二导电元件各自符合圆柱阵列形状。

5.根据权利要求2所述的电容器，其中，所述第一导电元件和所述第二导电元件各自符合六边形细长体阵列形状。

6.根据权利要求2所述的电容器，其中，所述第一导电元件和所述第二导电元件各自构成细长体阵列。

7.根据权利要求2所述的电容器，其中，所述第一导电元件和所述第二导电元件各自构成布置在细长体阵列上的涂层。

8.根据权利要求2所述的电容器，其中，所述电介质材料为聚苯并咪唑。

9.根据权利要求8所述的电容器，其中，所述电介质材料是聚苯并咪唑材料。

10.根据权利要求1所述的电容器，其中：

所述第一导电元件为布置在细长体阵列上的层；

所述电介质材料为布置在所述第一导电元件上的层；以及

所述第二导电元件是布置在所述电介质材料上的层。

11.根据权利要求10所述的电容器，其中，所述细长体阵列包括导电硅。

12.根据权利要求11所述的电容器，其中，所述细长体阵列包括布置在所述导电硅上的电介质材料层。

13.根据权利要求12所述的电容器，其中，所述第一导电元件和所述第二导电元件各自包括TiN。

14.根据权利要求13所述的电容器，其中，所述电介质材料包括Al₂O₃。

15.根据权利要求10所述的电容器，其中，所述细长体阵列包括碳纳米管。

16.根据权利要求15所述的电容器，其中，所述细长体阵列包括铺层在所述碳纳米管上的氧化硅。

17.根据权利要求16所述的电容器，其中，所述第一导电元件和所述第二导电元件各自包括TiN。

18.根据权利要求16所述的电容器，其中，所述电介质材料包括Al₂O₃。

19.根据权利要求18所述的电容器，还包括：

第二电介质材料；

第三导电元件；

第三电介质材料；

第四导电元件；

第四电介质材料；以及

第五导电元件；

其中：

所述第二电介质材料为布置在所述第二导电元件上的层；

所述第三导电元件为布置在所述第二电介质材料上的层；

所述第三电介质材料为布置在所述第三导电元件上的层；

所述第四导电元件为布置在所述第三电介质材料上的层；

所述第四电介质材料为布置在所述第四导电元件上的层；以及

所述第五导电元件为布置在所述第四电介质材料上的层。

20.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述电介质材料为BaTiO₃。

21.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述第一导电元件、所述第二导电元件和所述电介质材料具有相似的热膨胀系数。

22.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述第一导电元件、所述第二导电元件和所述电介质材料允许所述电容器在大约20℃到360℃之间的温度范围内运行。