[发明专利]用于操作并联DMOS开关的方法和电路

权利要求书

1.用于操作DMOS开关的方法，所述DMOS开关包括以下至少一个：(a)第一DMOS器件对，其具有串联连接的两个NDMOS器件；以及(b)第二DMOS器件对，其具有串联连接的两个PDMOS器件，所述方法包括：

通过利用所述开关中的DMOS器件对的源极电压产生每个DMOS器件对的相应栅极信号来接通所述开关，

其中通过放大器处理对应的源极电压来产生各个栅极信号。

2.如权利要求1所述的方法，其中每个放大器配置成为在被放大的对应的源极电压提供单位增益，所述方法还包括：

产生各个栅极信号作为放大的源极电压的电压偏差。

3.如权利要求1所述的方法，还包括：

控制每个放大器以使得每当所述开关关断时各栅极信号浮动。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述DMOS开关包括所述第一DMOS器件对和所述第二DMOS器件对，所述方法还包括：

通过第一放大器处理从所述第一DMOS器件对获得的源极电压来产生第一栅极信号；以及

通过第二放大器处理从所述第二DMOS器件对获得的源极电压来产生第二栅极信号。

5.如权利要求1所述的方法，还包括：

利用相应的电压产生器件来产生各栅极信号，各电压产生器件选自包括齐纳二极管、二极管堆和一组二极管连接的MOS器件的组。

6.如权利要求1所述的方法，还包括：

利用将栅极信号限制到所述栅极信号所应用的DMOS器件对的最大容许栅极-源极电压以下的器件来产生各栅极信号。

7.如权利要求1所述的方法，还包括：

通过设定各栅极信号等于所述栅极信号所应用的所述DMOS器件对的所述源极电压来关断所述开关。

8.如权利要求7所述的方法，其中通过将对应的DMOS器件对的栅极与所述DMOS器件对的源极连接来设定各栅极信号。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述DMOS开关包括所述第一DMOS器件对和所述第二DMOS器件对，所述方法还包括：

在接通所述开关的同时将所述第一DMOS器件对的共享源极端子与所述第二DMOS器件对的共享源极端子连接。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述开关包括与所述第二DMOS器件对并联连接的所述第一DMOS器件对。

11.用于操作DMOS开关的电路，所述DMOS开关包括以下中的至少一个：(a)第一DMOS器件对，具有串联连接的两个NDMOS器件；以及(b)第二DMOS器件对，具有串联连接的两个PDMOS器件，所述电路包括：

放大器布置，其包括至少一个放大器，所述放大器布置被配置成利用所述开关中的DMOS器件对的源极电压来产生每个DMOS器件对的相应的栅极信号；

控制布置，其配置成通过将所述放大器布置产生的各栅极信号应用于相应的DMOS器件对的栅极输入来接通所述开关。

12.如权利要求11所述的电路，其中每个放大器都配置成提供用于在被放大的相应的源极电压的单位增益，并且产生各栅极信号作为放大的源极电压的电压偏差。

13.如权利要求11所述的电路，其中所述控制布置控制每个放大器以使得每当所述开关关断时各栅极信号浮动。

14.如权利要求11所述的电路，其中所述至少一个放大器包括：第一放大器，其处理从所述开关中的NDMOS器件获得的源极电压；以及第二放大器，其处理从所述开关中的PDMOS器件获得的源极电压。

15.如权利要求11所述的电路，还包括：

产生各栅极电压的相应的电压产生器件，各电压产生器件选自包括齐纳二极管、二极管堆和一组二极管连接的MOS器件的组。

16.如权利要求11所述的电路，其中所述放大器布置包括将各栅极信号限制到所述栅极信号所应用的相应的DMOS器件对的最大容许栅极-源极电压以下的器件。

17.如权利要求11所述的电路，其中所述控制布置被配置成通过设定各栅极信号等于所述栅极信号所应用的所述DMOS器件对的所述源极电压来关断所述开关。