[发明专利]用于热解反应器的热隔离组件

权利要求书

1.一种烃热解反应器，该反应器包括：

工艺-流程组件；和

与该工艺-流程组件相邻的隔离组件；其中该隔离组件包括氧化物，该氧化物具有：

i)在范围为800℃-1600℃的温度下在致密相内≤5W/m·K的本体热导率；

ii)基于隔离组件的体积，≥30vol％的孔隙率；

iii)不小于2060℃的熔点；和

iv)当在下述条件下，保持氧化物形式：

a)在第一温度下暴露于第一气体下时，所述第一气体具有

i)1x10^-15巴的氧分压，和

ii)比在第一温度下氧化锆相变成碳化锆时大的碳分压；

其中在该氧分压下，第一温度小于锆的三相点的温度；和/或

b)在第二温度下暴露于具有氧分压的第二气体下时，其中在该氧分压下，所述第二温度大于或等于锆的三相点的温度。

2.权利要求1的烃热解反应器，其中工艺-流程组件的孔隙率范围为1vol％至28vol％，基于工艺-流程组件的体积。

3.权利要求1或2的烃热解反应器，其中隔离组件的孔隙率范围为30vol％至75vol％，基于隔离组件的体积。

4.权利要求1-3任何一项的烃热解反应器，其中隔离组件的孔隙率范围为30vol％至50vol％，基于隔离组件的体积。

5.权利要求1-4任何一项的烃热解反应器，其中隔离组件的孔隙率范围为50vol％至75vol％，基于隔离组件的体积。

6.权利要求1-5任何一项的烃热解反应器，其中在范围为800℃-1600℃的温度下，在致密相内，隔离组件的本体热导率为≤4W/m·K。

7.权利要求1-5任何一项的烃热解反应器，其中在范围为800℃-1600℃的温度下，在致密相内，隔离组件的本体热导率为≤2W/m·K。

8.权利要求1-7任何一项的烃热解反应器，其中在1000℃下，在致密相内，隔离组件的发射率为<0.35。

9.权利要求1-7任何一项的烃热解反应器，其中在1000℃下，在致密相内，隔离组件的发射率为<0.30。

10.权利要求1-9任何一项的烃热解反应器，其中隔离组件包括≥90wt％氧化钇，基于隔离组件的重量。

11.权利要求1-10任何一项的烃热解反应器，其中隔离组件包括第一表面和第二表面，其中第二表面的孔隙率比第一表面大>2％。

12.权利要求1-10任何一项的烃热解反应器，其中隔离组件包括第一表面和第二表面，其中第二表面的热导率比第一表面大>2％。

13.权利要求1-10任何一项的烃热解反应器，其中隔离组件包括第一表面和第二表面，其中第二表面的发射率比第一表面大>2％。

14.权利要求1-13任何一项的烃热解反应器，其中当在碳分压为10^-11巴和氧分压为10^-15巴的气体存在下，暴露于2050℃的温度下时，该隔离组件保持氧化物形式。

15.权利要求1-14任何一项的烃热解反应器，其中烃热解反应器包括至少一个热量热解反应器。

16.权利要求1-14任何一项的烃热解反应器，其中烃热解反应器包括至少一个逆流再生反应器。

17.权利要求1-16任何一项的烃热解反应器，其中隔离组件的熔点不小于2160℃。

18.权利要求1-17任何一项的烃热解反应器，其中隔离组件包括多块隔离砖，其中该隔离砖包括氧化钇，含钇的化合物及其组合中的至少一种。

19.权利要求1-17任何一项的烃热解反应器，其中隔离组件包括多块隔离砖，其中多块隔离砖中的至少一块包括>50wt％氧化钇，和多块隔离砖中的至少一块包括锆和/或氧化铝。

20.权利要求18或19的烃热解反应器，进一步包括置于多块隔离砖和工艺-流程组件之间的孔隙率范围为0％-10％的流体阻挡层。