[发明专利]双重模式升压调节器

权利要求书

1.一种具有双重模式升压调节器的集成电路装置，其包括：

电源端子；

电源共用端子；

电感器端子；

外部晶体管栅极控制端子；

电压输出端子；

升压调节器模式选择端子；

电压感测端子；

晶体管切换控制电路，其具有耦合到所述升压调节器模式选择端子的模式选择输入；

第一功率晶体管，其耦合于所述电感器端子与所述电压输出端子之间，且由所述晶体管切换控制电路控制；

电压反馈电路，其耦合于所述电压输出端子与所述晶体管切换控制电路之间，且具有耦合到至少一个电压参考的至少一个输入；

启动电路；

振荡器，其耦合到所述启动电路及所述晶体管切换控制电路；

第二功率晶体管，其耦合于所述电感器端子与所述电源共用端子之间，且由所述晶体管切换控制电路控制；

第一电压测量装置，其具有耦合到所述晶体管切换控制电路的输出；

第二电压测量装置，其具有耦合到所述电感器端子的第一差分输入及耦合到所述电压感测端子的第二差分输入；及

模式选择开关，其具有耦合到所述第一电压测量装置的输入的共用点、耦合到所述电感器端子的第一输入及耦合到所述第二电压测量装置的输出的第二输入；

其中

当经由所述升压调节器模式选择端子选择低功率升压调节器模式时，所述第一功率晶体管及所述第二功率晶体管为作用的且由所述晶体管切换控制电路控制，且所述第一电压测量装置的所述输入经由所述模式选择开关耦合到所述电感器端子；且

当经由所述升压调节器模式选择端子选择高功率升压调节器模式时，所述第一功率晶体管及所述第二功率晶体管为非作用的，所述外部晶体管栅极控制端子被控制以驱动外部晶体管，且所述第一电压测量装置的所述输入经由所述模式选择开关耦合到所述第二电压测量装置的所述输出。

2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中所述晶体管切换控制电路产生脉冲宽度调制或频率调制控制信号。

3.根据权利要求1或2所述的集成电路装置，其中所述振荡器使用电阻-电容电路来确定其振荡器频率。

4.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中所述第一功率晶体管为P通道金属氧化物半导体场效应晶体管。

5.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中所述第二功率晶体管为N通道金属氧化物半导体场效应晶体管。

6.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中所述第一电压测量装置为差分输入运算放大器。

7.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中所述第二电压测量装置为差分输入运算放大器。

8.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中所述集成电路装置为包括模拟与数字电路及数字存储器的微控制器。

9.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中所述升压调节器模式的选择存储于非易失性存储器中。

10.根据权利要求9所述的集成电路装置，其中所述非易失性存储器选自由熔丝位及电可编程非易失性存储器位组成的群组。

11.一种包含根据权利要求1-10中之一所述的集成电路装置的低功率电路布置，其中所述集成电路装置经设置以通过所述模式选择端子上的信号而在所述低功率升压模式操作，所述电压感测端子是外部耦合于地电位，且无外部晶体管与所述集成电路装置连接。

12.根据权利要求11所述的低功率电路布置，其中所述低功率电路布置进一步包含：

电感器，其耦合于所述电源端子与所述电感器端子之间；

电源，其耦合于所述电源端子与所述电源共用端子之间；及

滤波电容器，其耦合于所述电压输出端子与所述电源共用端子之间。

13.根据权利要求11所述的低功率电路布置，其中所述电源为电池。

14.根据权利要求13所述的低功率电路布置，其中所述电池具有从0.9伏到1.8伏的电压。