[发明专利]蓄电装置的制造方法及由其得到的蓄电装置无效
| 申请号： | 201380014715.6 | 申请日： | 2013-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN104247140A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 武弘义;大谷彰;阿部正男;植谷庆裕;加治佐由姬 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01M10/058 | 分类号： | H01M10/058;H01M4/13;H01M4/137;H01M4/139;H01M4/1399;H01M4/36;H01M4/60 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 装置 制造 方法 得到 | ||
【权利要求书】：
1.一种蓄电装置的制造方法，其特征在于，所述蓄电装置具有电解质层以及将其夹持而相对设置的正极和负极，该方法具备通过下述a～c形成正极的工序以及通过下述d形成负极的工序：
a.使下述(X)处于还原去掺杂状态的工序；
b.用抗衡离子对下述(Y)的阴离子进行补偿的工序；
c.至少使用由所述a得到的还原去掺杂状态的(X)和由所述b得到的补偿状态的(Y)来形成正极的工序；
d.使用未掺杂状态的下述(Z)来形成负极的工序；
(X)因离子的嵌入·脱嵌而导电性变化的掺杂状态的正极活性物质，
(Y)阴离子性材料，
(Z)能嵌入·脱嵌离子的负极活性物质。
2.根据权利要求1所述的蓄电装置的制造方法，其中，所述a的还原去掺杂状态通过经由将所述(X)去掺杂的工序和还原的工序而得到。
3.根据权利要求1所述的蓄电装置的制造方法，其中，所述a的还原去掺杂状态通过经由将所述(X)直接还原去掺杂的工序而得到。
4.一种蓄电装置，其通过权利要求1～3中任一项所述的蓄电装置的制造方法而得到。
5.根据权利要求4所述的蓄电装置，其特征在于，其正极至少由所述(X)和(Y)形成且负极含有所述(Z)，正极的(X)为还原去掺杂状态，且固定在正极内的(Y)的阴离子用抗衡离子进行了补偿，负极的(Z)为未掺杂处理状态。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日东电工株式会社，未经日东电工株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380014715.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
