[发明专利]透明导电性层叠体和电子设备或模块有效
| 申请号： | 201380014537.7 | 申请日： | 2013-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN104185877B | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 原务;铃木悠太;永元公市 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;B32B7/02;G02B1/11;G06F3/041 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 高旭轶,孟慧岚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透明 导电性 层叠 电子设备 模块 | ||
1.透明导电性层叠体，其为在基材的至少一个面上，直接或隔着1层以上的层，从基材侧起依次层叠低折射层、中间折射层和透明导电层而成的透明导电性层叠体，其特征在于，
所述中间折射层和低折射层是通过对硅系高分子层实施离子注入处理而得到的层，
低折射层的折射率为1.40～1.50， 中间折射层的折射率为1.50～1.80，且 中间折射层的膜密度为2.5～4.5g/cm3。
2.如权利要求1所述的透明导电性层叠体，其中，所述中间折射层的光学膜厚为1～100nm。
3.如权利要求1所述的透明导电性层叠体，其中，所述低折射层的光学膜厚为10～800nm。
4.如权利要求1所述的透明导电性层叠体，其中，所述透明导电层的光学膜厚为10～250nm。
5.如权利要求1所述的透明导电性层叠体，其中，在40℃、相对湿度90%气氛下的水蒸汽透射率为0.1g/m2/day以下。
6.如权利要求1所述的透明导电性层叠体，其中，透射色相b＊值为-2.0～＋2.0、且总光线透射率为80%以上。
7.如权利要求1所述的透明导电性层叠体，其中，构成所述透明导电层的材料是选自氧化锡、掺杂有锑的氧化锡、掺杂有氟的氧化锡、氧化锌、掺杂有镓的氧化锌（GZO）、掺杂有铝的氧化锌（AZO）、氧化铟、氧化铟锡、氧化锌铟（IZO）中的至少1种。
8.如权利要求1所述的透明导电性层叠体，其中，所述中间折射层和低折射层是通过对硅系高分子层实施离子注入处理而得到的层，所述硅系高分子层包含选自聚有机硅氧烷系化合物、聚碳硅烷系化合物、聚硅烷系化合物、聚硅氮烷系化合物中的任一硅系高分子化合物。
9.电子设备或模块，其使用了权利要求1～6中任一项所述的透明导电性层叠体。
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