[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

设置于半导体基板的表面的、用于使电流在所述半导体基板的厚度方向流动的元件结构；

与所述元件结构相对且设置于所述半导体基板的背面的凹部；

设置于所述凹部的外周、构成该凹部的侧壁的、且厚度比所述半导体基板的形成有所述凹部的部分要厚的肋部；以及

多个槽，该多个槽设置于所述肋部，从该肋部的内周到外周横切该肋部，

使得所述槽的相对的侧壁中的靠近所述肋部的隅角一侧的侧壁相对于另一个侧壁倾斜，使所述槽的宽度从所述肋部的内周朝向外周扩大。

2.一种半导体装置，其特征在于，包括：

设置于半导体基板的表面的、用于使电流在所述半导体基板的厚度方向流动的元件结构；

与所述元件结构相对且设置于所述半导体基板的背面的凹部；

设置于所述凹部的外周、构成该凹部的侧壁的、且厚度比所述半导体基板的形成有所述凹部的部分要厚的肋部；以及

多个槽，该多个槽设置于所述肋部，从该肋部的内周到外周横切该肋部，

使得所述槽的相对的侧壁中的远离所述肋部的隅角一侧的侧壁相对于另一个侧壁倾斜，使所述槽的宽度从所述肋部的内周朝向外周变小。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述肋部至少具有一组相对的边，

设置于所述肋部的相对的边的一条边的所述槽的横切方向、与设置于另一条边的所述槽的横切方向不在同一直线上。

4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述槽的深度比所述凹部的深度要浅。

5.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述槽的深度与所述凹部的深度相同。

6.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体基板的外周形状是长方形。

7.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述肋部的外周形状与所述半导体基板的外周形状相同，是至少具有两组相对的边的多边形，

所述槽设置于所述肋部的各边、或者将所述肋部内周的各隅角及外周的隅角中的某一个角包含在内的部分。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

所述槽设置于所述肋部的各边的一个端部一侧。

9.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体基板的表面的外周部被聚酰亚胺类树脂覆盖。

10.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体基板的形成有所述元件结构的部分的厚度在5μm以上、30μm以下。