[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 201380014248.7 申请日: 2013-04-16
公开(公告)号: CN104170087A 公开(公告)日: 2014-11-26
发明(设计)人: 传田俊男;关知则;山田忠则;佐藤忠彦 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L25/18
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 孙昌浩;韩明花
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于,具备:

多个半导体元件;

形成有多个所述半导体元件中的、相比其他所述半导体元件流过更大的电流的第一半导体元件的第一半导体芯片;

形成有多个所述半导体元件中的、控制所述第一半导体元件的第二半导体元件的第二半导体芯片;

具有接合有所述第一半导体芯片的第一布线图案的绝缘基板;

具有搭载有所述第二半导体芯片的第二布线图案的绝缘部件。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述绝缘材料的形成了所述第二布线图案的面,在与所述绝缘基板的主面垂直的方向上,位于相比所述绝缘基板的形成有所述第一布线图案的主面高的位置,与所述绝缘基板的形成了所述第一布线图案的主面形成高度差,

根据所述高度差,所述第二布线图案和所述第一布线图案在与所述绝缘基板的主面垂直的方向上分离。

3.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述第二布线图案与所述第二半导体元件的外部连接用管脚一体化。

4.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述第二布线图案由金属箔或引线框架形成。

5.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述绝缘部件是与所述第二半导体元件的外部连接用管脚一体成型的壳体。

6.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述绝缘部件是与所述绝缘基板以及所述第二布线图案一体成型的壳体。

7.根据权利要求6所述的半导体装置,其特征在于,

所述第二布线图案形成在所述壳体的内壁。

8.根据权利要求1~7中任意一项所述的半导体装置,其特征在于,

多个所述第二半导体元件中至少一个所述第二半导体元件在所述第二布线图案上,以背面能够电导通的状态搭载。

9.根据权利要求1~7中任意一项所述的半导体装置,其特征在于,

多个所述第二半导体元件中至少一个所述第二半导体元件搭载于所述第二布线图案的外侧的所述绝缘部件上。

10.根据权利要求1~7中任意一项所述的半导体装置,其特征在于,

多个所述第二半导体元件中至少一个所述第二半导体元件在所述第二布线图案上,以背面被电绝缘的状态搭载。

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