[发明专利]具有掺杂电极的压力传感器

权利要求书

1.一种传感器装置，包括：

体硅层；

第一掺杂物类型的所述体硅层的第一掺杂区；

第二掺杂物类型的所述体硅层的第二掺杂区，其中，所述第一掺杂物类型是不同于所述第二掺杂物类型的掺杂物类型，所述第二掺杂区位于所述体硅层的上表面，并且具有由所述第一掺杂区界定的第一掺杂部分；

在所述第二掺杂区的全部的上方的第一腔部分；和

在沉积覆盖层中形成的上电极，所述上电极处于所述第一腔部分上方；

第一沟槽，其只形成在所述体硅层中，并且使得所述第二掺杂区的第一部分与所述第一掺杂区的第一部分分开，以及

第二沟槽，其只形成在所述体硅层中，并且使得所述第二掺杂区的第二部分与所述第一掺杂区的第二部分分开。

2.根据权利要求1所述的传感器装置，其特征在于，还包括：

隔垫，其形成在所述沉积覆盖层中并且限定所述上电极的一部分。

3.根据权利要求2所述的传感器装置，其特征在于，由累晶方法、CVD方法、LPCVD方法和PECVD方法中的至少一种形成所述沉积覆盖层。

4.根据权利要求1所述的传感器装置，其特征在于：

所述第一沟槽和第二沟槽填充有介电材料，并且

所述介电材料包括二氧化硅、氮化硅和ALD氧化铝中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的传感器装置，其特征在于，还包括：

形成在所述第一掺杂区下方的第二腔部分；和

形成在所述第二腔部分下方的衬底层。

6.根据权利要求5所述的传感器装置，其特征在于，所述第一沟槽和第二沟槽分别从所述第一腔部分延伸到所述第二腔部分以将所述第一腔部分流体地连接到所述第二腔部分。

7.根据权利要求1所述的传感器装置，其特征在于，还包括：

衬底层；和

在所述衬底层和所述第一掺杂区之间的接界处形成的第二腔部分，所述第二腔部分通过所述第一沟槽和所述第二沟槽与所述第一腔部分流体地连接。

8.根据权利要求1所述的传感器装置，其特征在于：

所述第一掺杂区是P型掺杂区；并且

所述第二掺杂区是N++型掺杂区。

9.一种用于形成传感器装置的方法，包括：

提供体硅层；

使得所述体硅层的第一区掺杂有第一掺杂物类型，以形成第一掺杂区；

使得所述第一区的一部分掺杂有第二掺杂物类型，以形成第二掺杂区，其中所述第一掺杂物类型是不同于所述第二掺杂物类型的掺杂物类型；

在所述第二掺杂区的全部的上方形成第一腔部分；和

在沉积覆盖层中形成上电极，所述上电极处于所述第一腔部分的上方，

只在所述体硅层中在所述第二掺杂区的第一部分与所述第一掺杂区的第一部分之间形成第一沟槽，以及

只在所述体硅层中在所述第二掺杂区的第二部分与所述第一掺杂区的第二部分之间形成第二沟槽。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括：

通过在所述沉积覆盖层中形成隔垫来限定所述上电极的一部分。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述第一掺杂区和衬底层部分之间形成第二腔部分。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第一沟槽和所述第二沟槽从所述第一腔部分延伸到所述第二腔部分以将所述第一腔部分流体地连接到所述第二腔部分。

13.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括：

使得所述第一沟槽和所述第二沟槽至少部分地填充有介电材料，

其中所述介电材料包括二氧化硅、氮化硅和ALD氧化铝中的至少一种。