[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，具备：

基板；

在所述基板之上形成的栅极电极；

在所述栅极电极之上形成的栅极绝缘层；

氧化物层，其形成在所述栅极绝缘层之上，包含半导体区域和与所述半导体区域接触的第一导电体区域，所述半导体区域的至少一部分隔着所述栅极绝缘层与所述栅极电极重叠；

覆盖所述半导体区域的上表面的保护层；

与所述半导体区域电连接的源极电极和漏极电极；和

以隔着电介质层与所述第一导电体区域的至少一部分重叠的方式配置的透明电极，

所述漏极电极与所述第一导电体区域接触，

在从所述基板的法线方向看时，所述保护层的端部与所述漏极电极的端部、所述源极电极的端部或所述栅极电极的端部大致对齐，所述半导体区域与所述第一导电体区域的边界的至少一部分与所述保护层的端部大致对齐。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

在从所述基板的法线方向看时，所述半导体区域配置在所述栅极电极的轮廓的内部。

3.如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于：

所述氧化物层还具有位于所述半导体区域的与所述第一导电体区域相反的一侧的第二导电体区域，

所述漏极电极与所述氧化物层的所述第一导电体区域的上表面接触，所述源极电极与所述氧化物层的所述第二导电体区域的上表面接触，

所述透明电极是隔着所述电介质层配置在所述氧化物层之上的上部透明电极，

在从所述基板的法线方向看时，所述保护层的端部与所述栅极电极的端部大致对齐，所述半导体区域与所述第一导电体区域以及第二导电体区域的边界的至少一部分，与所述保护层的端部大致对齐。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

在从所述基板的法线方向看时，所述半导体区域配置在与所述栅极电极、所述源极电极和所述漏极电极中的至少一个重叠的区域的轮廓的内部。

5.如权利要求1或4所述的半导体器件，其特征在于：

所述源极电极和漏极电极形成于所述栅极绝缘层与所述氧化物层之间，

所述氧化物层的所述半导体区域与所述源极电极的上表面和所述漏极电极的上表面接触，

在从所述基板的法线方向看时，所述半导体区域与所述第一导电体区域的边界的至少一部分，与所述漏极电极的端部大致对齐。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于：

所述透明电极是隔着所述电介质层配置在所述氧化物层之上的上部透明电极。

7.如权利要求4或5所述的半导体器件，其特征在于：

所述透明电极是配置在所述氧化物层与所述基板之间的下部透明电极，所述电介质层包含所述栅极绝缘层的至少一部分。

8.如权利要求3或6所述的半导体器件，其特征在于：

还具备源极－漏极连接部，

所述源极－漏极连接部还具备：

由与所述栅极电极相同的导电膜形成的栅极连接层；

由与所述源极电极相同的导电膜形成的源极连接层；和

由与所述上部透明电极相同的透明导电膜形成的透明连接层，

所述源极连接层与所述栅极连接层经所述透明连接层电连接。

9.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于：

还具备源极－漏极连接部，

所述源极－漏极连接部具备：

由与所述栅极电极相同的导电膜形成的栅极连接层；和

由与所述源极电极相同的导电膜形成的源极连接层，

所述源极连接层在设置于所述栅极绝缘层的开口部内与所述栅极连接层接触。

10.如权利要求1至9中任一项所述的半导体器件，其特征在于：

所述氧化物层包含In、Ga和Zn。