[发明专利]使用化学气相沉积膜控制嵌段共聚物薄膜中的域取向

权利要求书

1.通过下述步骤实现嵌段共聚物的域取向的方法：

a)在基底上涂布嵌段共聚物薄膜,

b)通过在气相内沉积，在嵌段共聚物顶面上施加面涂层，生产层状结构，和

c)使该层状结构退火。

2.权利要求1的方法，其中所述退火是通过暴露于溶剂蒸气下进行。

3.权利要求1的方法，其中所述退火是通过加热进行。

4.权利要求1的方法，其中所述基底包括硅。

5.权利要求4的方法，其中所述基底是硅晶片。

6.权利要求1的方法，其中所述基底是石英。

7.权利要求1的方法，其中所述基底是玻璃。

8.权利要求1的方法，其中所述基底是塑料。

9.权利要求1的方法，其中所述基底是透明基底。

10.权利要求1的方法，其中所述基底是卷轴式基底。

11.权利要求1的方法，其中用表面能介于两个嵌段的表面能之间的基底表面能中和层涂布所述基底。

12.权利要求11的方法，其中所述基底表面能中和层选自:

(a)高Tg聚合物，(b)交联的聚合物，(c)气相沉积的聚合物，(d)硅烷化试剂的小分子衍生物，和(e)通过将聚合物端连接到基底上形成的聚合物刷。

13.权利要求1的方法，其中所述嵌段共聚物含有具有至少10wt％硅的嵌段。

14.权利要求1的方法，其中所述面涂层是有机的。

15.权利要求1的方法，其中所述面涂层是无机氧化物。

16.权利要求1的方法，其中所述面涂层是聚对二甲苯。

17.权利要求1的方法，其中所述面涂层是聚对二甲苯衍生物。

18.权利要求16的方法，其中所述聚对二甲苯选自:聚对二甲苯N，聚对二甲苯D，聚对二甲苯C，聚对二甲苯和聚对二甲苯X。

19.权利要求1的方法，进一步包括:

d.在使得形成纳米结构的条件下，使所述层状结构退火。

20.权利要求12的方法，其中所述气相沉积的聚合物是聚对二甲苯。

21.权利要求19的方法，其中所述退火包括加热。

22.权利要求19的方法，进一步包括:

e.在使得面涂层和一部分嵌段共聚物被除去，从而暴露所述纳米结构的条件下，蚀刻所述层状结构。

23.权利要求1的方法，其中所述嵌段共聚物形成可在平版印刷构图工艺中用作蚀刻掩模的纳米结构化材料。

24.权利要求1的方法，其中提供第三单体和所述嵌段共聚物是三嵌段共聚物。

25.根据权利要求22的方法制造的蚀刻的纳米结构。

26.权利要求22的方法，其中所述蚀刻包括氧气蚀刻。