[发明专利]具有两个刻蚀步骤P1和P3的用于制造光伏模块的方法及相应的光伏模块

权利要求书

1.一种用于生产光伏模块的工艺，所述光伏模块包括薄膜结构中的多个太阳能电池，其中，在所述结构中相继地产生下述部分：背面电极(41)、光伏膜(43)以及另一个半导体膜(44)，所述光伏膜(43)通过对包括金属前驱以及Se和S之中的至少一种元素的组分进行沉积并且进行热处理将这些组分转化为半导体材料而获得，所述另一个半导体膜(44)用于与所述光伏膜(43)形成pn结，其特征在于，所述金属前驱在所述背面电极(41)上形成连续的膜(420)，而所述至少一种元素形成具有至少一个间断点(422)的膜(421)，使得在所述热处理结束后能够于所述间断点处在金属前驱膜(420)中保留金属状态的区域(430)。

2.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，所述至少一种元素的膜(421)以局部的方式沉积。

3.根据权利要求1或2所述的工艺，其特征在于，所述金属前驱为Cu、Ga和In的类型或Cu、Zn和Sn的类型。

4.根据权利要求1或2所述的工艺，其特征在于，所述热处理在介于400°C至600℃之间的温度下进行。

5.根据权利要求3所述的工艺，其特征在于，所述热处理在介于400℃至600℃之间的温度下进行。

6.根据权利要求1或2所述的工艺，其特征在于，所述热处理在550℃的温度下进行。

7.根据权利要求3所述的工艺，其特征在于，所述热处理在550℃的温度下进行。

8.根据权利要求1或2所述的工艺，其特征在于，所述另一个半导体膜(44)在所述区域(430)处具有间断点(440)。

9.根据权利要求3所述的工艺，其特征在于，所述另一个半导体膜(44)在所述区域(430)处具有间断点(440)。

10.根据权利要求4所述的工艺，其特征在于，所述另一个半导体膜(44)在所述区域(430)处具有间断点(440)。

11.根据权利要求5或7所述的工艺，其特征在于，所述另一个半导体膜(44)在所述区域(430)处具有间断点(440)。

12.根据权利要求6所述的工艺，其特征在于，所述另一个半导体膜(44)在所述区域(430)处具有间断点(440)。

13.一种光伏模块，所述光伏模块包括串联到公共衬底(4)的多个太阳能电池，每个所述电池包括正面电极和背面电极(41)，所述正面电极是透光的，所述背面电极通过基于金属前驱的光伏膜(43)以及另一个半导体膜(44)与所述正面电极分隔开，以便能够与所述光伏膜形成pn结，其特征在于，电池(5)的正面电极(45a)通过由所述金属前驱组成的区域(430)电连接到相邻电池(6)的背面电极(41b)上。

14.根据权利要求13所述的模块，其特征在于，所述模块在两个相邻的所述电池(5、6)之间具有出现在所述衬底(4)上的唯一开口(431)。

15.根据权利要求13或14所述的模块，其特征在于，所述另一个半导体膜(44)在金属状态的所述区域(430)处具有间断点(440)。

16.根据权利要求13或14所述的模块，其特征在于，所述光伏膜(43)由CIGS或CZTS制成。

17.根据权利要求15所述的模块，其特征在于，所述光伏膜(43)由CIGS或CZTS制成。