[发明专利]固态成像设备和电子装置有效
| 申请号: | 201380012988.7 | 申请日: | 2013-02-27 |
| 公开(公告)号: | CN104170088B | 公开(公告)日: | 2017-03-08 |
| 发明(设计)人: | 中村明弘 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/14;H01L31/10;H04N5/369 |
| 代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人: | 余刚,吴孟秋 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固态 成像 设备 电子 装置 | ||
1.一种固态成像设备,包括:
层压的多个光电转换部;
读取部,由形成在半导体基体内的半导体区域构成并且读取在所述光电转换部中经过光电转换的电荷;
电荷累积部,累积由所述读取部读取的所述电荷;以及
遮光结构,对除所述读取部和所述光电转换部以外的部分进行遮光。
2.根据权利要求1所述的固态成像设备,其中,所述遮光结构在对应于所述读取部的部分具有开口。
3.根据权利要求1所述的固态成像设备,其中,所述读取部的所述半导体区域被耗尽,并从而具有光电转换功能。
4.根据权利要求3所述的固态成像设备,其中,所述读取部的所述半导体区域被形成为具有允许所述读取部的所述半导体区域通过给定电压被耗尽的杂质浓度,并从而具有光电转换功能。
5.根据权利要求3所述的固态成像设备,进一步包括:读取门,所述读取门形成在所述读取部上并允许施加电压以耗尽所述读取部的所述半导体区域。
6.根据权利要求3所述的固态成像设备,其中,构成所述读取部的所述半导体区域的一部分用作用于所述多个光电转换部中的一个的所述读取部,并且兼用作另外的一个光电转换部。
7.根据权利要求1所述的固态成像设备,其中,所述多个光电转换部都形成在所述半导体基体内。
8.根据权利要求1所述的固态成像设备,其中,所述多个光电转换部包括:形成在所述半导体基体内的光电转换部和布置在所述半导体基体的光入射侧并由有机光电转换层构成的有机光电转换部。
9.根据权利要求1所述的固态成像设备,其中,所述固态成像设备具有允许光从与所述半导体基体的电路形成表面相反的一侧入射的背面照射型结构。
10.一种电子装置,包括:
光学系统;
固态成像设备,包括:
层压的多个光电转换部,
读取部,由形成在半导体基体内的半导体区域构成并且读取在所述光电转换部中经过光电转换的电荷,
电荷累积部,累积由所述读取部读取的所述电荷,以及
遮光结构,对除所述读取部和所述光电转换部以外的部分进行遮光;以及
信号处理电路,处理来自所述固态成像设备的输出信号。
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





