[发明专利]质谱中校正的质量分析物值

说明书

背景

四极离子阱质量分析器广泛用于对各种物质进行质谱分析，并且特征在于它们的高灵敏性和进行多级分离和碎裂(在本领域中通常称为MSⁿ)的能力。在四极离子阱质量分析器中，离子由通过向离子阱施加适合的电压而产生的振荡场限制并且按质量顺序被喷射至检测器(例如，通过共振喷射的方法)以便获取质谱。除了由所施加电压产生的电场之外，这些离子还经受离子本身在离子阱中产生的电场并且受这些电场影响。这些自生电场具有随着离子群密度而增大的特征强度。不可忽略的自生电场的存在对离子行为具有显著影响，特别是就共振喷射而言，这可能不利地影响在质谱中检测到的离子峰的质量准确性。

为了避免或最小化与自生电场相关联的性能下降，离子阱质量分析器常规地在具有自生电场显著小于所施加电场(即，主要捕获和共振激发场)的离子群情况下进行操作。因此，将离子群的最大密度设定成一个值，处于该值时，自生场不会明显影响离子行为。此类极限被称为空间电荷极限。

在产生可接受的质量准确性时在空间电荷极限以下操作离子阱质量分析器具有减小仪器动态范围的不良作用。尤其当测量存在大范围浓度的物质时，可能期望的是用相对更大数量的离子填充离子阱。用更大数量的离子填充阱还提高了信噪比，从而产生更可靠的测量。因此，在质谱学领域中需要一种对大的离子群进行质量分析而不牺牲质量准确性的技术。

发明内容

一种确定样品中分析物的质荷比的方法包括获得一个质谱，其中在存在第一相邻离子情况下测量该分析物的质荷比。该第一相邻离子包括所具有的质荷比与该分析物的质荷比不同的离子。该质谱包括测量的分析物质荷比、测量的第一相邻离子质荷比、测量的分析物丰度以及测量的第一相邻离子丰度。接着，可以通过从该测量的分析物质荷比减去该测量的第一相邻离子质荷比来确定第一质荷比差。可以基于该测量的分析物质荷比、该测量的第一分析物丰度、该第一质荷比差以及该测量的第一相邻离子丰度计算出校正的分析物质荷比。

该确定一种分析物的质荷比的方法还可以包括：基于该测量的分析物质荷比和该测量的第一分析物丰度来确定自身电荷空间校正。相邻离子空间电荷校正可以基于该第一质荷比差和该测量的第一相邻离子丰度来确定。该自身电荷空间校正和该相邻离子空间电荷校正可以合在一起以形成空间电荷校正。该校正的分析物质荷比可以通过将该空间电荷校正和该测量的分析物质荷比加在一起来计算。

该确定一种分析物的质荷比的方法还可以针对多于一个种类的相邻离子进行校正。一个种类表示具有一个特定m/z值的相邻离子。可以在存在该第一相邻离子和该第二相邻离子两者情况下测量该分析物的质荷比。该第一相邻离子包括所具有的质荷比与该分析物和该第二相邻离子的质荷比不同的离子。该第二相邻离子包括所具有的质荷比与该分析物和该第一相邻离子的质荷比不同的离子。该方法进一步包括：通过从该测量的分析物质荷比减去该测量的第二相邻离子质荷比来确定第二质荷比差。相邻离子空间电荷校正可以基于该第一质荷比差、该第二质荷比差、该测量的第一相邻离子丰度以及该测量的第二相邻离子丰度来确定。

还可以在自身空间电荷效应相对较低的情况下进行一种确定样品中分析物的质荷比的方法。此方法包括获得一个质谱，其中在存在第一相邻离子情况下测量该分析物的质荷比。该第一相邻离子包括所具有的质荷比与该分析物的质荷比不同的离子。该质谱包括测量的分析物质荷比、测量的第一相邻离子质荷比以及测量的第一相邻离子丰度。接着，可以通过从该测量的分析物质荷比减去该测量的第一相邻离子质荷比来确定第一质荷比差。可以基于该测量的分析物质荷比、该第一质荷比差以及该测量的第一相邻离子丰度来计算校正的分析物质荷比。

该确定一种分析物的质荷比的方法还可以包括：基于该第一质荷比差和该测量的第一相邻离子丰度来确定相邻离子空间电荷校正。该校正的分析物质荷比可以通过将该相邻离子空间电荷校正和该测量的分析物质荷比加在一起来计算。

一种确定样品中分析物的质荷比的系统包括一个质谱仪和一个微处理器。该质谱仪可以被配置成用于在存在第一相邻离子情况下测量该分析物的质谱。该第一相邻离子包括所具有的质荷比与该分析物的质荷比不同的离子。该质谱包括测量的分析物质荷比、测量的第一相邻离子质荷比、测量的分析物丰度以及测量的第一相邻离子丰度。该微处理器可以被配置成用于：接收来自该质谱仪的质谱，并且基于以下各项输出校正的分析物质荷比：该测量的分析物质荷比、该测量的分析物丰度、该测量的第一相邻离子质荷比、该测量的第一相邻离子丰度以及该测量的第一相邻离子质荷比与该测量的分析物质荷比之间的第一质荷比差。