[发明专利]银微粒烧结体有效
| 申请号： | 201380012394.6 | 申请日： | 2013-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN104160490B | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 小林诚;佐佐木幸司 | 申请（专利权）人： | 纳美仕股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;B22F1/00;B22F7/08;B22F9/24;H01B5/00;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 烧结体 银微粒 活化能 接合半导体装置 接合构件 晶格 块体 蠕变 用银 扩散 | ||
1.一种银微粒烧结体，其是用于接合半导体装置的部件的芯片粘接材用银微粒烧结体，
其中，银微粒烧结体的蠕变活化能是块体银的晶格扩散活化能的0.4～0.75倍。
2.根据权利要求1所述的银微粒烧结体，其中，银微粒烧结体是对作为一次粒子的银微粒进行烧结而成的烧结体，
一次粒子的平均粒径为40～350nm、微晶粒径为20～70nm、且平均粒径相对于微晶粒径之比为1～5。
3.根据权利要求1或2所述的银微粒烧结体，其中，银微粒烧结体的蠕变活化能是块体银的晶格扩散活化能的0.4～0.7倍。
4.根据权利要求1或2所述的银微粒烧结体，其是通过将一次粒子的银微粒加热至温度130～320℃来进行烧结而成的。
5.根据权利要求1或2所述的银微粒烧结体，其中，银微粒烧结体的间隙被树脂填充。
6.一种半导体装置，其是半导体芯片与支承体由芯片粘接材接合的半导体装置，其中，芯片粘接材为权利要求1～5中的任一项所述的银微粒烧结体。
7.一种银微粒烧结体的制造方法，其是用于接合半导体装置的部件的芯片粘接材用银微粒烧结体的制造方法，
包括：通过将一次粒子的平均粒径为40～350nm、微晶粒径为20～70nm且平均粒径相对于微晶粒径之比为1～5的银微粒在80℃干燥后，加热至温度130～320℃来进行烧结的工序，
银微粒烧结体的蠕变活化能是块体银的晶格扩散活化能的0.4～0.75倍。
8.一种半导体装置的制造方法，其是半导体芯片与支承体由芯片粘接材接合的半导体装置的制造方法，
包括：将包含一次粒子的平均粒径为40～350nm、微晶粒径为20～70nm且平均粒径相对于微晶粒径之比为1～5的银微粒的导电糊剂供给至支承体上的工序；
在支承体上将半导体芯片对准位置载置的工序；和
通过将支承体、导电糊剂和半导体芯片在80℃干燥后，加热至温度130～320℃来进行烧结的工序，银微粒烧结体的蠕变活化能是块体银的晶格扩散活化能的0.4～0.75倍。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
