[发明专利]传感器设备

说明书

技术领域

本发明涉及例如能在病毒等的探测中使用的传感器设备。

背景技术

图22是例如能在病毒探测等中使用的专利文献1所公开的传感器设备600的截面图。传感器设备600具有：棱镜601；配置在棱镜601的下表面的表面平坦的金属层602；配置在金属层602的下表面、表面的平坦且有规定的介电常数的绝缘层603；和固定在绝缘层603的下表面的受体604。

在金属层602与绝缘层603的界面存在电子的疏密波即表面等离子体波。在棱镜601侧上方配置光源605，在全反射条件下从光源605向棱镜601入射P偏振的光。此时，在金属层602和绝缘层603的表面产生衰逝波。在金属层602全反射的光在检波部606被接受，对光的强度进行检测。

在此，在满足衰逝波与表面等离子体波的波数一致的波数匹配条件时，从光源605提供的光的能量被利用于表面等离子体波的激发，反射光的强度减小。波数匹配条件取决于从光源605提供的光的入射角。因此，若使入射角变化而由检波部606来检测反射光强度，则在某入射角下反射光的强度减小。

反射光的强度成为最小的角度即共振角取决于绝缘层603的介电常数。若将样本中的被测定物质即被分析物与受体604特异性地结合而生成的特异性结合物构成在绝缘层603的下表面，则绝缘层603的介电常数发生变化，对应于此而共振角发生变化。因此，通过监视共振角的变化，能探测被分析物与受体604的特异性结合反应的结合强弱和结合快慢等。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：JP特开2005-181296号公报

发明内容

传感器设备具备：流路，其构成为使含有被分析物的样本流过，且构成为配置载体；和金属层，其设置于流路中。在载体的表面构成为固定与被分析物进行特异性结合而生成凝聚体的多个受体。流路具有：凝聚体捕获部，其构成为使被分析物局部集中存在。

该传感器设备构成简单、且具有高的检测灵敏度。

附图说明

图1A是本发明的实施方式1中的传感器设备的俯视图。

图1B是图1A所示的传感器设备的线1B-1B的截面图。

图2A是实施方式1中的传感器设备的侧截面图。

图2B是图2A所示的传感器设备的俯视截面图。

图3是表示实施方式1中的传感器设备的受体与被分析物的特异性结合的概念图。

图4A是实施方式1中的传感器设备的侧截面图。

图4B是实施方式1中的传感器设备的侧截面图。

图5是实施方式1中的传感器设备的电磁场模拟解析模型的概念图。

图6是表示实施方式1中的传感器设备的电磁模拟的解析结果的图。

图7A是实施方式1中的传感器设备的侧截面图。

图7B是实施方式1中的传感器设备的侧截面图。

图8A是实施方式1中的传感器设备的侧截面图。

图8B是实施方式1中的传感器设备的侧截面图。

图9是实施方式1中的传感器设备的侧截面图。

图10是实施方式1中的传感器设备的侧截面图。

图11是实施方式1中的传感器设备的侧截面图。

图12是实施方式1中的传感器设备的侧截面图。

图13A是本发明的实施方式2中的传感器设备的俯视截面图。

图13B是实施方式2中的其它传感器设备的俯视截面图。

图14A是实施方式2中的传感器设备的侧截面图。

图14B是图14A所示的传感器设备的俯视截面图。

图15是凝聚体的概念图。

图16A是本发明的实施方式3中的传感器设备的侧截面图。

图16B是图16A所示的传感器设备的放大图。

图17是表征实施方式3中的传感器设备的电场强度的分布的图。

图18A是本发明的实施方式4中的传感器设备的俯视截面图。

图18B是表示图18A所示的传感器设备的线18B-18B的侧截面图。

图18C是实施方式4中的其它传感器设备的俯视截面图。

图18D是图18C所示的传感器设备的线18D-18D的侧截面图。

图19A是本发明的实施方式5中的传感器设备的俯视截面图。

图19B是图19A所示的传感器设备的线19B-19B的侧截面图。