[发明专利]涂覆的电气组件有效
申请号: | 201380012311.3 | 申请日: | 2013-03-06 |
公开(公告)号: | CN104302412B | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 安德鲁·布鲁克斯;蒂莫西·冯韦尔讷 | 申请(专利权)人: | 赛姆布兰特有限公司 |
主分类号: | B05D7/00 | 分类号: | B05D7/00;B05D1/00;H05K3/28 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司11262 | 代理人: | 牟静芳,郑霞 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电气 组件 | ||
1.一种电气组件,所述电气组件具有保形涂层,其中所述保形涂层通过包括以下步骤的方法得到:
(a)式(I)的化合物的等离子体聚合和所得到的聚合物沉积到所述电气组件的至少一个表面上:
其中:
R1代表C1-C3烷基或C2-C3烯基;
R2代表氢、C1-C3烷基或C2-C3烯基;
R3代表氢、C1-C3烷基或C2-C3烯基;
R4代表氢、C1-C3烷基或C2-C3烯基;
R5代表氢、C1-C3烷基或C2-C3烯基;且
R6代表氢、C1-C3烷基或C2-C3烯基,和
(b)氟代烃的等离子体聚合和所得到的聚合物沉积到在步骤(a)中形成的聚合物上,
其中所述式(I)的化合物是1,4-二甲苯、1,3-二甲苯、1,2-二甲苯、甲苯、4-甲基苯乙烯、3-甲基苯乙烯、2-甲基苯乙烯、1,4-二乙烯基苯、1,3-二乙烯基苯或1,2-二乙烯基苯,并且所述氟代烃是CF4、C2F4、C2F6、C3F6、C3F8或C4F8,并且
其中所述保形涂层包括通过所述氟代烃或所述式(I)的化合物的等离子体聚合和沉积得到的第一层以及通过所述氟代烃或所述式(I)的化合物的等离子体聚合和沉积得到的第二层,并且其中在所述第一层和所述第二层之间的折射率的差是至少0.01,以及所述第一层和/或所述第二层的厚度为从195z/y nm到375z/y nm,其中z是整数且y是所述层的折射率。
2.一种电气组件,所述电气组件具有保形涂层,其中所述保形涂层通过包括以下步骤的方法得到:
(i)氟代烃的等离子体聚合和所得到的聚合物沉积到所述电气组件的至少一个表面上,和
(ii)权利要求1中定义的式(I)的化合物的等离子体聚合和所得到的聚合物沉积到在步骤(i)中形成的聚合物上,
其中所述式(I)的化合物是1,4-二甲苯、1,3-二甲苯、1,2-二甲苯、甲苯、4-甲基苯乙烯、3-甲基苯乙烯、2-甲基苯乙烯、1,4-二乙烯基苯、1,3-二乙烯基苯或1,2-二乙烯基苯,并且所述氟代烃是CF4、C2F4、C2F6、C3F6、C3F8或C4F8,并且
其中所述保形涂层包括通过所述氟代烃或所述式(I)的化合物的等离子体聚合和沉积得到的第一层以及通过所述氟代烃或所述式(I)的化合物的等离子体聚合和沉积得到的第二层,并且其中在所述第一层和所述第二层之间的折射率的差是至少0.01,以及所述第一层和/或所述第二层的厚度为从195z/y nm到375z/y nm,其中z是整数且y是所述层的折射率。
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