[发明专利]适于光学耦合层的包含表面改性高折射率纳米粒子的组合物

权利要求书

1.一种耦合光学膜的方法，所述方法包括：

提供光学膜；

提供基底；

将光学耦合层涂敷至所述光学膜的表面层、所述基底、或它们的组合；其中所述光学耦合层包含

至少40wt.％的无机纳米粒子，所述无机纳米粒子具有至少1.85的折射率，和

聚合硅烷表面处理剂，其中所述聚合硅烷表面处理剂包含无规丙烯酸类共聚物，所述无规丙烯酸类共聚物包含至少50wt.％的重复单元，所述重复单元衍生自包含4至18个碳原子的一种或多种(甲基)丙烯酸烷基酯单体；以及

将所述光学膜层合到所述基底，从而形成层合的光学构造。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述光学膜的所述表面层具有至少1.60的折射率。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述光学膜为光提取膜，并且所述基底为顶发射有机发光二极管(OLED)器件。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述光提取膜包含

透明的基底；

在所述透明的基底上的提取元件；和

平整化的回填层，所述平整化的回填层被涂敷至所述提取元件上，从而形成所述回填层的大体平的表面，

其中所述回填层的折射率高于所述提取元件的折射率。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述提取元件包含具有多周期性区的工程化的纳米结构，所述多周期性区包含所述纳米结构的重复区，其中所述区包含具有第一多个周期性特性的第一组纳米结构和具有第二多个周期性特性的第二组纳米结构，所述第二多个周期性特性不同于所述第一多个周期性特性。

6.根据权利要求4所述的方法，其中所述提取元件包含周期性结构和涂敷至所述周期性结构上的光散射纳米粒子层。

7.根据权利要求4所述的方法，其中将所述光学耦合层涂敷至所述回填层。

8.根据权利要求4所述的方法，其中将所述光学耦合层涂敷至所述顶发射有机发光二极管(OLED)器件。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述光学耦合层在层合时不含溶剂。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述光学耦合层不含(甲基)丙烯酸酯组分，所述(甲基)丙烯酸酯组分具有1,000g/mol或更小的分子量。

11.一种层合的光学构造，所述层合的光学构造包含：

光学膜；

设置在所述光学膜的表面层上的光学耦合层，其中所述光学耦合层包含

至少40wt.％的无机纳米粒子，所述无机纳米粒子具有至少1.85的折射率；和

聚合硅烷表面处理剂，其中所述聚合硅烷表面处理剂包含无规丙烯酸类共聚物，所述无规丙烯酸类共聚物包含至少50wt.％的重复单元，所述重复单元衍生自包含4至18个碳原子的一种或多种(甲基)丙烯酸烷基酯单体；和

基底，所述基底粘结至所述光学膜的相对表面处的所述光学耦合层。

12.根据权利要求11所述的层合的光学构造，其中所述光学膜还通过权利要求2-8中任一项或组合来表征，所述光学耦合层还通过权利要求7-9中任一项或组合来表征。

13.根据权利要求11所述的层合的光学构造，其中所述基底为隔离衬片。

14.根据权利要求11所述的层合的光学构造，其中所述聚合硅烷表面处理剂具有在-20℃至-80℃范围内的Tg。

15.根据权利要求11所述的层合的光学构造，其中所述聚合硅烷表面处理剂具有在1000至5000g/mol范围内的重均分子量。

16.根据权利要求11所述的层合的光学构造，其中所述无机纳米粒子还包含非聚合表面处理剂。

17.根据权利要求16所述的层合的光学构造，其中所述非聚合表面处理剂具有至少1.50的折射率。

18.根据权利要求11所述的层合的光学构造，其中所述光学耦合层具有至少1.65的折射率。

19.根据权利要求11所述的层合的光学构造，其中所述光学耦合层具有至少1.70的折射率。

20.根据权利要求11所述的层合的光学构造，其中所述无机纳米粒子包含二氧化钛。