[发明专利]醇中的溶解氧去除装置及方法、醇供给装置及清洗液供给装置

说明书

技术领域

本发明涉及醇中的溶解氧去除装置及方法、以及使用了该装置的醇供给装置及清洗液供给装置。

背景技术

对于半导体制造工序中所使用的超纯水，为了防止基板表面的氧化，要求利用真空脱气、膜脱气将超纯水中的溶解氧(DO)浓度降低至例如10ppb以下，进而降低至1ppb以下。

在半导体制造工序中，除了超纯水以外，还使用大量的试剂溶液。特别是异丙醇(IPA)，多被用作基板清洗后的再清洗液、干燥工序的干燥液。现阶段，并未对IPA中的溶解氧浓度进行管理。然而，随着半导体器件的高度化、微细化、高密度化的推进，还考虑到了IPA中的溶解氧会引发半导体器件的预料之外的氧化，从而致使成品率下降的情况。因而，存在需要去除IPA中的溶解氧直至低浓度为止的可能性。

在专利文献1中，公开有含有有机溶剂的试剂溶液的脱气方法。采用该方法，通过使试剂溶液在聚烯烃制的均质膜的单侧通过，并对均质膜的另一侧进行减压，从而去除试剂溶液中的氧。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004-105797号公报

专利文献2：日本特开2010-214321号公报

发明内容

发明要解决的问题

为了利用专利文献1所记载的方法进行溶解氧的脱气直至低浓度为止，需要增大真空泵的容量、或减少处理量。

这关系到装置的设置空间和电力使用量的增加。

本发明的目的在于提供能够以简单的结构高效地去除醇中的溶解氧的醇中的溶解氧去除装置及方法。

用于解决问题的方案

本发明的醇中的溶解氧去除装置是填充有吸收了氢的储氢金属催化剂的溶解氧去除装置，其通过使含有溶解氧的醇与储氢金属催化剂相接触，从而从醇中去除溶解氧。本发明的醇中的溶解氧去除方法具有如下工序：使含有溶解氧的醇与吸收了氢的储氢金属催化剂相接触，从而从醇中去除溶解氧。

通过使含有溶解氧的醇在吸收了氢的储氢金属催化剂中通过，在吸收了氢的储氢金属催化剂的表面，由醇中的溶解氧和储氢金属催化剂中所吸收的氢生成水(2H₂+O₂→2H₂O)。通过利用该化学反应，能够以简单的结构高效地去除醇中的溶解氧。

发明的效果

采用本发明，可以提供能够以简单的结构高效地去除醇中的溶解氧的醇中的溶解氧去除装置及方法。

附图说明

图1是表示本发明的第1实施方式的醇供给装置的概略结构的示意图。

图2是表示本发明的第2实施方式的清洗液供给装置的概略结构的示意图。

图3是表示本发明的第3实施方式的清洗液供给装置的概略结构的示意图。

图4是表示实施例1所使用的装置的概略结构的示意图。

图5是表示实施例2所使用的装置的概略结构的示意图。

具体实施方式

第1实施方式

图1是表示本发明的第1实施方式的醇供给装置(IPA供给装置1)的概略结构的示意图。

本实施方式的IPA供给装置1将用于干燥半导体器件的IPA干燥液供给到半导体器件制造装置101。IPA供给装置1具有：贮存IPA的IPA贮存槽2；向IPA贮存槽2供给IPA的IPA供给管线11；向半导体器件制造装置101供给IPA干燥液的IPA供给管线3；以及使从半导体器件制造装置101排出的IPA干燥液返回IPA贮存槽2的回收管线4。在IPA供给管线3上具备用于去除IPA干燥液中的溶解氧的溶解氧去除装置5和位于该IPA供给管线3的后段的水分去除装置6。本实施方式的IPA供给装置1除了用于半导体器件的干燥以外，还能够广泛地应用于将IPA用于物品的清洗和干燥中的至少任意一项的情况中。