[发明专利]镍钛诺支架的形成方法

权利要求书

1.一种支架的形成方法，包括以下步骤：

将复合线材成形为支架型式，其中所述复合线材包括内构件、中间构件和外构件，其中所述中间构件是镍钛诺材料；

对支架型式的所述复合线材进行热处理；

在热处理步骤之后，处理所述复合线材，从而从所述中间构件周围去除所述外构件而不会不利地影响所述中间构件。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括如下步骤：在热处理步骤之后，处理所述复合线材，从而从所述中间构件去除芯构件而不会不利地影响所述中间构件。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括如下步骤：在去除所述芯构件之后，用生物或药物活性物质填充所述中间构件的内腔。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述物质选自由抗肿瘤、抗有丝分裂药、抗炎药、抗血小板、抗凝、抗纤维蛋白、抗凝血酶、抗增殖、抗生素、抗氧化剂和抗过敏的物质以及它们的组合物所组成的组。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，还包括如下步骤：设置穿过所述中间构件而至所述中间构件的内腔的开口。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，设置穿过所述中间构件的开口的步骤包括用激光钻出穿过所述中间构件的开口。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述外构件包括选自由钽和钼所组成的组的材料，且其中处理所述复合线材以去除所述外构件的步骤包括：使所述复合线材暴露于二氟化氙气体或氢氟酸。

8.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述外构件和所述内构件包括钽或钼，且其中，处理所述复合线材以去除所述外构件的步骤和处理所述复合线材以去除所述芯构件的步骤包括：使所述复合线材暴露于二氟化氙气体。

9.一种支架的形成方法，包括如下步骤：

将复合线材成形为支架型式，其中所述复合线材包括内构件、中间构件和外构件，其中所述中间构件是镍钛诺材料；

对支架型式的所述复合线材进行热处理；

在热处理步骤之后，处理所述复合线材，从而从所述中间构件周围去除所述外构件而不会不利地影响所述中间构件；

设置穿过所述中间构件而至所述中间构件的内腔的开口；以及

在热处理步骤之后，处理所述复合线材，从而从所述中间构件去除芯构件而不会不利地影响所述中间构件。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，设置穿过所述中间构件的开口的步骤包括设置穿过所述外构件和所述中间构件的开口，且其中，处理所述复合线材从而去除所述外构件的步骤以及处理所述复合线材从而去除所述内构件的步骤以单个步骤执行。

11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括如下步骤：在去除所述芯构件之后，用生物或药物活性物质填充所述中间构件的内腔。

12.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述物质选自由抗肿瘤、抗有丝分裂药、抗炎药、抗血小板、抗凝、抗纤维蛋白、抗凝血酶、抗增殖、抗生素、抗氧化剂和抗过敏的物质以及它们的组合组成的组。

13.一种支架的形成方法，包括如下步骤：

将复合线材成形为支架型式，其中所述复合线材包括内构件和外构件，其中所述内构件是实心镍钛诺材料；

对支架型式的所述复合线材进行热处理；

在热处理步骤之后，处理所述复合线材，从而从所述内构件周围去除所述外构件而不会不利地影响所述内构件。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述外构件选自由钽、钼、钨、铌、铼、碳、锗、硅和它们的合金所组成的组。

15.如权利要求13所述的方法，其特征在于，处理所述复合线材从而去除所述外构件的步骤包括将所述复合线材暴露于二氟化氙气体。

16.一种支架的形成方法，包括步骤：

将复合线材成形为支架型式，其中所述复合线材包括芯构件和外构件，其中所述外构件是镍钛诺材料，而所述芯构件是具有足够刚性以在热处理步骤之前将镍钛诺外构件保持在支架型式的材料；

对支架型式的所述复合线材进行热处理；

设置穿过所述外构件而至所述外构件的内腔的开口；

处理所述复合线材，从而从所述外构件去除所述芯构件而不会不利地影响所述外构件。