[发明专利]电子器件、电子器件制造方法和图像显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及电子器件、电子器件制造方法和图像显示装置。

背景技术

目前，包括被用于各种各样的电子设备中的薄膜晶体管(TFT：thin film transistor)的场效应晶体管(FET：field effect transistor)例如是由如下部分构成的：被形成于诸如硅半导体基板或硅半导体材料层等基材中的沟道形成区和源极电极及漏极电极；被形成于所述基材的表面上且包括SiO₂的栅极绝缘层；以及栅极电极，所述栅极电极被设置成面对所述沟道形成区且所述栅极绝缘层介于所述栅极电极与所述沟道形成区之间。此外，这样的FET被简称为顶栅型FET。可替代地，FET是由如下部分构成的：被设置于基底上的栅极电极；被设置于包括所述栅极电极的所述基底上且包括SiO₂的栅极绝缘层；以及被形成于所述栅极绝缘层上的沟道形成区和源极电极及漏极电极。此外，这样的FET被简称为底栅型FET。非常昂贵的制造半导体器件用的器件被用来制造具有上述结构的FET，且因此有必要降低制造成本。

在这些器件之中，近年来已经积极地开发了具有由有机半导体材料形成的活性层的电子器件，尤其是，诸如有机晶体管等有机电子器件(在下文中，其可以被简称为有机器件)引起了人们的关注。这些有机器件的最终目标也许是具有低成本、质量轻、挠性和高性能。当与无机材料(硅是这些无机材料的主要例子)相比时，有机半导体材料使得：(1)能够以简单工艺、在低温下、低成本地制造出大尺寸的有机器件，(2)能够制造出具有挠性的有机器件，并且(3)能够通过将组成有机半导体材料的分子改变为所期望的形态来控制有机器件的性能或者物理特性。因此，有机半导体材料具有这些各种各样的优势。

由有机半导体材料形成的活性层通常被形成于绝缘材料层上。而且，在这种情况下，通常，通过首先形成绝缘材料层、然后在该绝缘材料层上涂敷有机半导体材料溶液、且进行干燥来获得所述活性层。旋转涂敷方法常常被用来涂敷有机半导体材料溶液。

引用文献列表

专利文献：

专利文献1 JP 2007-538381T

专利文献2 JP 2008-535218T

专利文献3 JP 2009-177136A

非专利文献：

非专利文献1 T.Ohe et.al.,App.Phys.Lett.93,053303,2008

发明内容

要解决的技术问题

然而，为了改善有机晶体管的特性，从例如JP 2007-538381T和JP2008-535218T中已知晓了用于形成表面改善层、且该表面改善层具有位于绝缘材料层与活性层之间的聚乙烯树脂作为主要元件的技术。而且，作为用于形成这样的层结构的方法，从例如JP 2009-177136A和T.Ohe et.Al.,App.Phys.Lett.93,053303,2008中已知晓了如下的用于形成绝缘材料层和活性层的双层结构的技术：通过同时将构成绝缘材料层的材料和有机半导体材料溶解在溶剂中，然后涂敷所得到的混合物，由此在干燥期间发生自发的相分离。然而，这些文献中所公开的聚乙烯树脂具有低的约为100℃的玻璃化转变温度T_g，这导致电子器件的热可靠性劣化，并且机械性能(形状稳定性)也不好。而且，因为这些文献中所公开的电子器件具有底接触型结构，其可靠性差，所以实际使用很困难。

鉴于此，本发明的第一方面是提供能够实质上改善活性层的特性的结构、具有该结构的电子器件、以及包括该电子器件的图像显示装置。而且，除第一方面之外，本发明的第二方面是提供如下的电子器件制造方法：该电子器件具有有机绝缘材料层和有机半导体材料层二者的层叠结构；且在该电子器件中，有机绝缘材料层与有机半导体材料层之间的界面具有高的平滑度，并且这些层具有高的膜厚精度，然而这些层确实处于相分离的状态。

解决技术问题所采用的方案

用于实现第一目的的本发明的电子器件包括电极结构、绝缘层和活性层。所述活性层是由有机半导体材料形成的。与所述活性层接触的所述绝缘层是由环状环烯烃聚合物或环状环烯烃共聚物形成的。