[发明专利]化合物太阳能电池的制造方法无效
| 申请号： | 201380010237.1 | 申请日： | 2013-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN104137273A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 寺地诚喜;河村和典;西井洸人;渡边太一 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04;H01L31/18;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化合物 太阳能电池 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种化合物太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述化合物太阳能电池在基板上至少依次具备I-III-VI族化合物半导体层、缓冲层和透明电极层，该方法中，在相对于所述基板的层形成面垂直状延伸的假想中心轴的两侧，以相对的状态配置2张溅射用阴极靶材，并通过使用高频(RF)电源、或者组合使用直流(DC)电源和高频(RF)电源的溅射法来进行所述缓冲层的形成。
2.根据权利要求1所述的化合物太阳能电池的制造方法，其中，所述2张相对的阴极靶材配置成朝向基板侧张开的大致V字状。
3.根据权利要求1所述的化合物太阳能电池的制造方法，其中，所述2张相对的阴极靶材平行配置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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