[发明专利]外延基板、半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种外延基板，其特征在于，其具备：

硅系基板；及

外延生长层，该外延生长层具有晶格常数和热膨胀系数彼此相异的第1氮化物半导体层和第2氮化物半导体层交互积层而成的结构，并且以在外缘部中的膜厚逐渐变薄的方式被配置在前述硅系基板上，

并且，前述外延生长层的端部，在比前述硅系基板的端部更靠内侧，并且前述第1氮化物半导体层和前述第2氮化物半导体层的各自的膜厚，被形成为从端部朝向中央部逐渐变厚。

2.如权利要求1所述的外延基板，其中，前述硅系基板的外缘部，以越接近端部则膜厚越薄的方式被倒角加工，并且前述外延生长层的端部位于前述硅系基板的经过倒角加工的区域上。

3.一种半导体装置，其特征在于，其具备：

权利要求1或2所述的外延基板；及

功能层，该功能层被配置在前述外延生长层上，并且由氮化物半导体所构成。

4.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，其具备以下工序：

准备权利要求1或2所述的外延基板的工序；

在前述外延生长层上形成功能层的工序，并且该功能层由氮化物半导体所构成；及

分割成1单元份的工序。