[发明专利]用于将能量施加至空腔的装置

权利要求书

1.一种用于将RF能量施加至空腔中的物体的装置，该装置包括：

多对辐射端口，每一对包括两个辐射端口，这两个辐射端口被配置成用于彼此相干地向该空腔中发射RF辐射；以及

多个导电元件，每个导电元件位于构成一对辐射端口的两个辐射端口之间，

其中

这些导电元件被安排成使得由该多对辐射端口所发射的RF辐射比不存在这些导电元件时离该空腔的中心更近地聚焦。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，一条连接构成一对辐射端口的两个辐射端口的线离位于这两个辐射端口之间的导电元件比离该空腔的中心近一个至少为2的因子。

3.根据权利要求1或2所述的装置，进一步包括一个或多个被配置成用于以一系列具有一个中心频率的频率向这些辐射端口中的至少两个提供RF能量的RF源，其中，这条连接构成一对辐射端口的两个辐射端口的线与位于这两个辐射端口之间的导电元件之间的一个距离小于一个电磁波的波长的一半，该电磁波具有一个等于该中心频率的频率。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的装置，其中，一个导电元件和该空腔的中心在一条连接两个辐射端口的线的同一侧，这两个辐射端口一起构成一对辐射端口。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的装置，其中，这些对辐射端口中的至少一对包括两个馈自单个馈送源的辐射端口。

6.根据权利要求1至5中任意一项所述的装置，其中，这些对辐射端口中的至少一对包括两个辐射端口，每个辐射端口馈自一个不同的RF源，并且这些RF源是同步的。

7.根据权利要求1至6中任意一项所述的装置，其中，至少两对辐射端口被配置成用于以同一频率同时发射RF辐射。

8.根据权利要求1至7中任意一项所述的装置，其中，两对辐射端口被配置成用于以同一频率用一个相位差同时发射RF辐射。

9.根据权利要求1至8中任意一项所述的装置，进一步包括一个被配置成用于馈送第一对辐射端口的第一RF源以及一个被配置成用于馈送第二对辐射端口的第二RF源。

10.如权利要求9所述的装置，其中，该第一和第二RF源被配置成用于以同一频率同时发射RF辐射。

11.根据权利要求1至10中任意一项所述的装置，其中，这些导电元件中的至少一个在两端短路。

12.根据权利要求1至11中任意一项所述的装置，其中，这些导电元件中的至少一个仅在一端短路。

13.一种用于施加RF能量至能量施加区中的物体的装置，该装置包括：

一个波导馈送结构，包括一个朝向该能量施加区的孔径开口；

一个导电元件，被配置成用于电性地将该孔径划分成两个部分；以及

两个辐射端口，每个辐射端口位于该波导馈送结构的这两个部分之一内并被配置成用于向该能量施加区发射RF辐射。

14.根据权利要求13所述的装置，其中，该导电元件位于该波导馈送结构内。

15.根据权利要求13或14所述的装置，其中，该导电元件位于该波导馈送结构和该能量施加区之间。

16.根据权利要求13至15中任意一项所述的装置，其中，该波导馈送结构孔径被该导电元件电性地划分成多个基本上相等的部分。

17.根据权利要求13至16中任意一项所述的装置，其中，该导电元件与限定该能量施加区的两个壁电接触。

18.根据权利要求13至17中任意一项所述的装置，其中，

一个具有两个辐射端口的第一辐射元件与该能量施加区的一个第一壁邻接，

并且一个具有两个辐射端口的第二辐射元件与该能量施加区的与该第一壁相对的一个第二壁邻接。

19.根据权利要求13至18中任意一项所述的装置，包括非相干地发射RF辐射的两个或更多个辐射元件。

20.根据权利要求13至19中任意一项所述的装置，包括一个或多个辐射元件和一个或多个导电元件，其中，这些导电元件中的每一个位于这些辐射元件之一附近。