[发明专利]利用氧化铝层钝化太阳能电池的方法和装置

权利要求书

1.一种利用AlO_x层(12)涂覆基板(10)的方法，包括以下方法步骤：

(a)提供包括反应室(22)和至少一个RF电感(24)的电感耦合等离子体源(ICP源)(20)，从而使产生等离子体所需的能量直接耦合到所述反应室，

(b)将铝化合物引入所述ICP源(20)，

(c)将作为反应气体的氧和/或氧化合物引入所述ICP源，并且将能量与所述ICP源(20)电感耦合以形成等离子体(30)，以及

(d)在所述基板(10)上沉积所述AlO_x层(12),

(e)提供包括第二反应室和第二至少一个RF电感的第二ICP源，其中所述第二反应室紧挨着所述第一反应室布置，

(f)将硅化合物和反应气体引入所述第二ICP源，并且将能量电感耦合到所述第二ICP源，

(g)在所述AlO_x层之上沉积一含硅层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述含硅层为SiN_y或SiO_x或SiC_z层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基板(10)由硅组成。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，等离子体密度至少为1x10¹¹离子/cm³。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，等离子体密度为1x10¹²离子/cm³至9x10¹³离子/cm³。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，离子能量的范围是1至30eV之间。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，在所述反应室(22)中存在10^-4至10^-1mbar的真空。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，在所述反应室(22)中存在10^-3至5*10^-2mbar的所述真空。

9.根据权利要求6所述的方法，其中，以1-60MHz的频率实施能量的电感耦合。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，以13.56MHz的频率实施能量的电感耦合。

11.根据权利要求6所述的方法，其中，所述基板温度处于室温至450℃的范围内。

12.根据权利要求6所述的方法，其中，等离子体功率为0.5至10kW。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，等离子体功率为3.5至6kW。

14.根据权利要求6所述的方法，其中，所述等离子体密度和所述离子能量相互独立地受到控制。

15.一种用于在基板(10)上沉积薄层的涂覆部件，包括：

(a)包括反应室(22)和至少一个RF电感(24)的电感耦合等离子体源(ICP)(20)，从而使产生等离子体所需的能量直接耦合到所述反应室，

(b)在所述反应室(22)中用于布置至少一个基板(10)的基板支架(11)，以及

(c)用于将铝化合物和反应气体引入所述ICP源(20)的通道(26，28)，

(d)其中，所述基板(10)在所述反应室(22)中布置成使得所述基板(10)的待涂覆的表面面向所述ICP源(20)，

(e)各自具有反应室和至少一个RF电感的至少一个另外的电感耦合等离子体源(ICP)，以及

(f)用于将硅化合物和反应气体引入所述另外的ICP源的通道。

16.根据权利要求15所述的涂覆部件，其中，所述ICP源或数个ICP源的电感(124)布置在对应的反应室(122)之外并且借助于介电分隔壁(123)与反应室隔开。

17.根据权利要求1至14中任一项所述的方法用于钝化的用途或根据权利要求15或16所述的涂覆部件用于钝化的用途。