[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201380008509.4 | 申请日： | 2013-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN104160521B | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 田才邦彦;中岛博;风田川统之;簗岛克典;盐谷阳平;熊野哲弥;京野孝史 | 申请（专利权）人： | 索尼公司;住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 余刚,吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包括：
由六方III族氮化物半导体制成并且具有半极面的半导体基板；以及
在所述半导体基板的所述半极面上形成的外延层，包括：第一导电类型的第一包覆层、第二导电类型的第二包覆层和在所述第一包覆层和所述第二包覆层之间形成的发光层，所述第一包覆层由Inx1Aly1Ga1-x1-y1N制成，其中x1>0且y1>0，所述第二包覆层由Inx2Aly2Ga1-x2-y2N制成，其中0≤x2≤0.02且0.03≤y2≤0.07，
其中，所述第二包覆层中的氧浓度为2.0×1017/cm3至4.0×1017/cm3。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二包覆层的组成在允许相对半导体基板的晶格失配da/a满足|da/a|≤0.00145的范围内，其中，da＝a'-a，所述半导体基板的晶格常数为“a”，所述第二包覆层的晶格常数为“a'”。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，将所述第二包覆层的组成确定为允许所述第二包覆层的带隙为3.45eV以上。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第二包覆层具有200nm以上的厚度。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，构成所述第二包覆层的Al组成比y2在0.035≤y2≤0.06的范围内。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，构成所述第二包覆层的In组成比x2为0。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二包覆层具有200nm以上的厚度。
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