[发明专利]形成具有选择性发射极的太阳能电池的方法

权利要求书

1.一种生产太阳能电池的方法，包括以下步骤：

(a)提供以基本掺杂剂类型掺杂的半导体衬底(1)；

(b)在所述半导体衬底(1)的表面形成与所述基本掺杂剂类型相反的发射极掺杂剂类型的掺杂剂源材料层(3)；

(c)对所述掺杂剂源材料层(3)加热，从而掺杂剂从所述掺杂剂源材料层(3)扩散到所述半导体衬底(1)的相邻表面区域中，以形成均匀轻掺杂发射极区(5)；

(d)在第一激光作用步骤中，对所述半导体衬底(1)表面的接触表面区域(9)局部施加激光(7)，从而在所述半导体衬底(1)的所述接触表面区域(9)中附加产生电活性掺杂剂，以形成选择性重掺杂发射极区(11)；

(e)在第二激光作用步骤中，对所述半导体衬底(1)表面的所述接触区域(9)局部施加激光(21)，从而局部去除所述掺杂剂源材料层(3)和在所述半导体衬底(1)的表面形成的电介质层(15)中的至少之一，从而在所述接触表面区域(9)中局部露出所述半导体衬底(1)的表面，

其中在所述第二激光作用步骤中，施加与所述第一激光作用步骤中特征不同的激光；

(f)在所述局部露出的接触表面区域(9)中形成电接触所述半导体衬底(1)的表面的金属触点(23)。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一激光作用步骤之后，从激光作用设备移出所述半导体衬底(1)并且进一步处理所述半导体衬底(1)，并且其中，在所述第二激光作用步骤之前，所述半导体衬底(1)被安装在激光作用设备中并且被对准，使得在所述第二激光作用步骤中，施加所述激光(21)使得所述半导体衬底(1)的表面在已经在所述第一激光作用步骤中被重掺杂的相同接触表面区域(9)中露出。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，使用光学对准装置来对准所述半导体衬底(1)。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述光学对准装置检测所述半导体衬底(1)相对于所述激光作用装置的位置。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述光学对准装置检测已经在所述第一激光作用步骤中被附加掺杂的接触表面区域(9)的位置。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的方法，其特征在于，在所述第一激光作用步骤和所述第二激光作用步骤之间，去除所述掺杂剂源材料层(3)，并且在所述半导体衬底(1)表面形成至少用作表面钝化层、金属化掩模和防反射层之一的电介质层(15)。

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的方法，其特征在于，在步骤(f)中，使用镀金属技术形成所述金属触点。

8.根据权利要求1至7中的任一项所述的方法，其特征在于，在所述第一激光作用步骤中，施加激光(7)，使得沿着线引入附加的掺杂剂，所述线具有低于100微米的宽度。

9.根据权利要求1至8中的任一项所述的方法，其特征在于，在所述第一激光作用步骤中，施加激光(7)，使得沿着第一线引入附加的掺杂剂，并且其中在所述第二激光作用步骤中，沿着第二线露出所述接触表面区域(9)中的所述半导体衬底(1)的表面，其中所述第二线与所述第一线重叠，并且具有等于或小于所述第一线的宽度。

10.根据权利要求1至9中的任一项所述的方法，其特征在于，所述掺杂剂源材料是磷硅酸盐玻璃。