[发明专利]包括改进的磷属元素化物半导体膜的光伏器件的制造方法

权利要求书

1.制造光伏器件的方法，所述方法包括以下步骤：

a.提供包含至少一种磷属元素化物半导体的磷属元素化物半导体膜，所述膜具有表面；

b.处理所述膜，所述处理包括以下步骤：

i.将所述膜与第一蚀刻组合物以在所述膜的表面上有效形成富含磷属元素的区域的方式接触；和

ii.除去至少一部分所述富含磷属元素区域。

2.权利要求1的方法，其中所述除去步骤包括在氧化剂存在下使用第二蚀刻组合物。

3.权利要求1的方法，其中所述除去步骤包括使用第二蚀刻组合物，所述第二蚀刻组合物相对于所述磷属元素化物半导体膜选择性地蚀刻所述富含磷属元素区域或其衍生物。

4.权利要求3的方法，其中所述衍生物包括磷属元素的氧化物。

5.权利要求1的方法，其中所述富含磷属元素区域是至少部分无定形的。

6.权利要求1的方法，其还包括将所述磷属元素化物膜整合入光伏器件中的步骤。

7.权利要求2的方法，其中所述第一和第二蚀刻组合物是不同的。

8.权利要求1的方法，其中所述除去步骤包括在至少一种氧化剂存在下将所述富含磷属元素区域与包含蚀刻剂的流体混合物接触。

9.权利要求8的方法，其中所述流体混合物包含至少一种氧化剂。

10.权利要求9的方法，其中所述流体混合物是水性的并且所述氧化剂包括含水过氧化氢。

11.权利要求4的方法，其中使所述流体混合物在含有气体或蒸气相的氧化剂的环境中接触所述富含磷属元素区域。

12.权利要求2或3的方法，其中所述第二蚀刻组合物包含含氟物质。

13.权利要求1的方法，其中所述第一蚀刻组合物包含含溴物质。

14.权利要求2或3的方法，其中所述第二蚀刻组合物是水性的并且包含含水HF。

15.权利要求1的方法，其中所述第一蚀刻组合物包含含溴物质和至少一种醇。

16.权利要求15的方法，其中所述醇包括甲醇。

17.权利要求2或3的方法，其中所述第二蚀刻组合物包含过氧化物。

18.权利要求1的方法，其中步骤(a)还包括将Mg掺入至少一部分所述磷属元素化物半导体膜中，其中所述镁接近所述磷属元素化物半导体膜的表面部分。

19.权利要求1的方法，其中所述磷属元素化物半导体膜包含锌和磷。