[发明专利]真空下的微芯片无效

专利信息
申请号: 201380007380.5 申请日: 2013-01-30
公开(公告)号: CN104080536A 公开(公告)日: 2014-10-01
发明(设计)人: 松本真宽;大西通博;加藤义明;渡边俊夫 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: B01L3/00 分类号: B01L3/00
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;吴孟秋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 真空 芯片
【权利要求书】:

1.一种被配置为包含用于分析的试样溶液的微芯片,所述微芯片包括:

流道,被维持在低于大气压的压力水平,以允许所述试样溶液通过所述流道流动;以及

压力指示部,被配置检测所述压力水平的变化。

2.根据权利要求1所述的微芯片,进一步包括:基板层,所述基板层包含被配置为允许将所述试样溶液导入所述微芯片的自密封材料。

3.根据权利要求2所述的微芯片,其中,所述压力指示部的至少一部分与所述自密封材料接触。

4.根据权利要求3所述的微芯片,其中,所述压力指示部被置于所述微芯片的内表面。

5.根据权利要求2所述的微芯片,进一步包括:包括所述压力指示部和所述流道的第二基板层。

6.根据权利要求1所述的微芯片,其中,所述压力指示部包含检测与所述压力水平的变化相关的气体或湿度的材料。

7.根据权利要求1所述的微芯片,其中,所述压力指示部包含被配置为对所述压力水平的变化作出响应的弹性材料。

8.根据权利要求7所述的微芯片,进一步包括:参考线。

9.根据权利要求1所述的微芯片,进一步包括:被配置为检测所述压力水平的变化的多个压力指示部。

10.根据权利要求9所述的微芯片,其中,第一压力指示部包含被配置为对所述压力水平的变化作出响应的弹性材料,并且其中,第二压力指示部被配置为检测与所述压力水平的变化相关的气体或湿度。

11.根据权利要求10所述的微芯片,其中,所述第一压力指示部被置于所述微芯片的内表面,并且所述第二压力指示部被置于所述微芯片的外表面。

12.根据权利要求10所述的微芯片,其中,所述第一压力指示部被置于所述微芯片的外表面,并且所述第二压力指示部被置于所述微芯片的内表面。

13.根据权利要求1所述的微芯片,其中,所述压力指示部被置于所述微芯片的内表面和外表面的至少一个表面上。

14.根据权利要求1所述的微芯片,进一步包括:被配置为检测与所述微芯片相关的温度变化的热历史指示部。

15.根据权利要求14所述的微芯片,其中,所述热历史指示部被置于所述微芯片的内表面。

16.根据权利要求15所述的微芯片,其中,所述压力指示部被置于所述微芯片的内表面。

17.根据权利要求14所述的微芯片,其中,所述热历史指示部被置于所述微芯片的外表面。

18.根据权利要求1所述的微芯片,进一步包括:与所述流道连通的阱,其中,所述阱被配置为用作分析场。

19.根据权利要求18所述的微芯片,进一步包括:与一个或多个阱连通的多个流道。

20.一种微芯片装置,包括:被配置为包含用于分析的试样溶液的微芯片,其中,所述微芯片包括:流道,被维持在低于大气压的压力水平,以允许所述试样溶液通过所述流道流动;以及压力指示部,被配置为检测所述压力水平的变化。

21.一种制造微芯片的方法,所述微芯片被配置为包含用于分析的试样溶液,所述方法包括:提供包括被维持在低于大气压的压力水平以允许所述试样溶液通过流道流动的所述流道的所述微芯片以及包括被配置为检测所述压力水平的变化的压力指示部的所述微芯片。

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