[发明专利]红外线反射薄膜无效
申请号: | 201380007366.5 | 申请日: | 2013-01-30 |
公开(公告)号: | CN104081230A | 公开(公告)日: | 2014-10-01 |
发明(设计)人: | 河崎元子;藤泽润一;大森裕;兵藤智纪 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | G02B5/26 | 分类号: | G02B5/26;B32B27/00;B32B27/08 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 红外线 反射 薄膜 | ||
1.一种红外线反射薄膜,其为在基材的一侧的面上依次层叠有反射层和保护层的红外线反射薄膜,
该保护层为包含高分子的层,所述高分子包含下述化学式I的重复单元A、B和C中的至少两种以上重复单元,
所述保护层表面的动摩擦因数为0.001~0.45,
[化学式I]
化学式I中,R1为H或甲基,R2~R5为H、碳数1~4的烷基或链烯基。
2.根据权利要求1所述的红外线反射薄膜,其中,所述保护层侧表面的法向发射率为0.20以下。
3.根据权利要求1所述的红外线反射薄膜,其中,所述保护层还包含配置在上述高分子上的、构成所述保护层的表面的有机硅成分,
该有机硅成分的量为0.0001~1.0000g/m2。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日东电工株式会社,未经日东电工株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380007366.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种医用防污染干燥解冻装置
- 下一篇:真空下的微芯片