[发明专利]硫化物固体电解质材料、电池和硫化物固体电解质材料的制造方法

权利要求书

1.一种硫化物固体电解质材料，其特征在于，含有M₁元素、M₂元素和S元素，

所述M₁至少含有Li，

所述M₂是选自P、Sb、Si、Ge、Sn、B、Al、Ga、In、Ti、Zr、V、Nb中的至少一种，

在使用了CuKα射线的X射线衍射测定中的2θ＝29.58°±0.50°的位置具有峰，

将所述2θ＝29.58°±0.50°的峰的衍射强度设为I_A，将2θ＝27.33°±0.50°的峰的衍射强度设为I_B时，I_B/I_A的值小于0.50，

所述M₂至少含有P和Si。

2.一种硫化物固体电解质材料，其特征在于，含有M₁元素、M₂元素和S元素，

所述M₁至少含有Li，

所述M₂是选自P、Sb、Si、Ge、Sn、B、Al、Ga、In、Ti、Zr、V、Nb中的至少一种，

在使用了CuKα射线的X射线衍射测定中的2θ＝29.58°±0.50°的位置具有峰，

在使用了CuKα射线的X射线衍射测定中的2θ＝27.33°±0.50°的位置不具有峰，或者

在所述2θ＝27.33°±0.50°的位置具有峰的情况下，将所述2θ＝29.58°±0.50°的峰的衍射强度设为I_A、将所述2θ＝27.33°±0.50°的峰的衍射强度设为I_B时，I_B/I_A的值小于0.50，

所述M₂至少含有P和Si。

3.根据权利要求1或2所述的硫化物固体电解质材料，其特征在于，所述M₂含有除P和Si以外的其他元素。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的硫化物固体电解质材料，其特征在于，Si相对于除P以外的所述M₂的摩尔分数为30％以上。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的硫化物固体电解质材料，其特征在于，在所述2θ＝29.58°±0.50°的位置具有峰的结晶相中，晶格常数的a轴长为以下。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的硫化物固体电解质材料，其特征在于，以所述M₂的摩尔分数的合计为1时，所述M₁的摩尔分数为3.35以上。

7.一种硫化物固体电解质材料，其特征在于，含有如下晶体结构作为主体，所述晶体结构具有由M₁元素和S元素构成的八面体O、由M_2a元素和S元素构成的四面体T₁、以及由M_2b元素和S元素构成的四面体T₂，所述四面体T₁和所述八面体O共有棱，所述四面体T₂和所述八面体O共有顶点，

所述M₁至少含有Li，

所述M_2a和所述M_2b各自独立地为选自P、Sb、Si、Ge、Sn、B、Al、Ga、In、Ti、Zr、V、Nb中的至少一种，

所述M_2a和所述M_2b中的至少一方含有P，

所述M_2a和所述M_2b中的至少一方含有Si。

8.根据权利要求7所述的硫化物固体电解质材料，其特征在于，所述M_2a和所述M_2b中的至少一方含有除P和Si以外的其他元素。

9.根据权利要求7或8所述的硫化物固体电解质材料，其特征在于，Si相对于除P以外的所述M_2a和所述M_2b的摩尔分数为30％以上。

10.根据权利要求7～9中任一项所述的硫化物固体电解质材料，其特征在于，在所述晶体结构中，晶格常数的a轴长为以下。