[发明专利]以大角度发射光的半导体发光器件灯有效
| 申请号: | 201380005798.2 | 申请日: | 2013-01-03 |
| 公开(公告)号: | CN104040716B | 公开(公告)日: | 2018-06-22 |
| 发明(设计)人: | S.J.A.比尔休伊曾 | 申请(专利权)人: | 亮锐控股有限公司 |
| 主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/54;H01L33/58;H01L33/00;F21V5/00;F21V3/00;F21Y105/00 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 初媛媛;汪扬 |
| 地址: | 荷兰*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体发光二极管 透镜 底座 半导体发光器件 法线 旋转非对称 发射 顶表面 发射光 成形 附接 | ||
1.一种结构,包括:
附接至底座的多个半导体发光二极管,所述底座具有多个边缘和中心;和
分别布置在靠近所述底座的一个边缘的每一个所述半导体发光二极管上方的多个第一透镜,其中所述第一透镜是旋转非对称的,并且各自具有远离所述一个边缘的第一部分和靠近所述一个边缘的第二部分,其中
所述第一部分具有半圆顶形状,并且所述第二部分具有比所述第一部分更大的横向伸展,以及
所述第一透镜被成形为使得对于所述第二部分,以最大强度的一半的强度发射的光是以相对于所述半导体发光二极管的顶表面的法线至少70°的角度发射的。
2.如权利要求1所述的结构,还包括:
分别布置在靠近所述底座的中心的每一个所述半导体发光二极管上方的多个第二透镜,其中所述第二透镜是旋转对称的,并且被成形为使得以最大强度的一半的强度发射的光是以相对于所述半导体发光二极管的顶表面的法线的小于70°的角度发射的。
3.如权利要求1所述的结构,其中所述第一透镜被成形为使得对于所述第二部分,以最大强度的一半的强度发射的光是以相对于所述半导体发光二极管的顶表面的法线至少80°的角度发射的。
4.如权利要求1所述的结构,还包括布置在所述多个发光二极管上方的壳体,其中:
所述结构被配置成使得光以相对于所述底座的顶表面的法线135°的角度离开所述壳体;并且
以相对于所述底座的顶表面的法线135°的角度发射的光的量为以所发射的光的强度最大时的角度发射的光的量的至少5%。
5.如权利要求4所述的结构,其中所述壳体包括导致光散射的材料。
6.如权利要求4所述的结构,其中所述壳体延伸至所述底座的底部以下。
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