[发明专利]假体元件

权利要求书

1.制备包含玻璃陶瓷体的假体元件的方法，所述方法包括以下步骤：

a)提供包含非晶态玻璃相和包含所述待制备的玻璃陶瓷体的组分的基体，和

b)将能量转移到所述基体以引发所述基体的材料的初始相在限定区域中转换成至少一种晶体相，

其中用具有至少500nm的波长的激光束，通过激光照射所述区域使能量转移到所述基体的限定区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述激光束具有至少600nm，更优选至少700nm，最优选至少800nm的波长。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中通过激光照射在所述区域中加热所述基体。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中使用至少一种连续波激光器，特别地至少一种连续波高功率二极管激光器进行激光照射。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中通过叠加应用两个或更多个激光束进行所述激光照射。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中所述初始相是非晶态的。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其中所述基体由非晶态玻璃材料制成。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其中此外加热所述基体。

9.根据权利要求8所述的方法，其中在激光照射之前将所述基体加热至第一温度，所述第一温度优选位于约300℃-约750℃，更优选约400℃-约750℃，甚至更优选约600℃-约750℃的范围内和最优选为约660℃。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的方法，其中所述玻璃陶瓷体包含基于所述组合物的总重量65-72wt-%的SiO₂，至少8wt-%的Li₂O和至少8wt-%的Al₂O₃。

11.根据权利要求1-10中任一项所述的方法，其中所述玻璃陶瓷体包含至少一种吸收增强离子，优选选自 Nd³⁺、Fe²⁺、Fe³⁺、V²⁺、V³⁺、V⁴⁺、V⁵⁺、Co²⁺、Cr⁴⁺、Cr⁶⁺和Mn²⁺及其混合。

12.根据权利要求1-11中任一项所述的方法，其中对所述基体的第一区域进行第一转换步骤以在所述第一区域中引发晶体相A的形成和对不同于所述第一区域的所述基体的第二区域进行第二转换步骤以在所述第二区域中引发晶体相B的形成。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述晶体相A不同于所述晶体相B。

14.根据权利要求12或13所述的方法，其中所述晶体相A的比例在所述第一区域中高于在所述第二区域中而所述晶体相B的比例在所述第二区域中高于在所述第一区域中。

15.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述至少一种晶体相包含至少一种选自偏硅酸锂（Li₂SiO₃）、二硅酸锂（Li₂Si₂O₅）、铝硅酸锂（LiAlSi₂O₆、LiAlSiO₄、LiAlSi₃O₈、LiAlSi₄O₁₀）和Li₃PO₄的组分。

16.根据权利要求12-15中任一项所述的方法，其中所述晶体相A包含二硅酸锂作为主要晶体相而所述晶体相B包含铝硅酸锂作为主要晶体相。

17.根据权利要求12-16中任一项所述的方法，其中所述第一区域中的所述晶体相A的比例以渐进的方式变成所述第二区域中的所述晶体相B。