[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，所述方法包括：

将具有第一元件的第一基板的元件形成面和具有第二元件的第二基板的元件形成面粘合为彼此相对；

至少在具有所述第二元件的所述第二基板的端部上形成保护膜；以及

减小所述第一基板的厚度。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在粘合所述第一基板和所述第二基板之前，在所述第二基板的端部形成变薄部分；以及在通过形成所述变薄部分而露出的所述第二基板上的元件的侧面以及所述变薄部分的表面上形成所述保护膜。

3.根据权利要求2所述的方法，进一步包括：在所述第二基板上形成所述变薄部分之后，平滑并清洁所述第二基板的表面。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在所述第一基板的端部形成变薄部分；并且在除去所述变薄部分之后减小所述第一基板的整个表面的厚度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保护膜形成在所述第一基板的整个表面上。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保护膜由具有耐化学性的材料形成。

7.一种半导体装置的制造方法，所述方法包括：

在具有第一元件的第一基板的端部形成变薄部分；

至少在具有第二元件的第二基板的端部形成不吸收激光束的保护膜；

以所述第一元件和所述第二元件彼此相对的方式粘合所述第一基板和所述第二基板；以及

利用激光选择性地除去所述第一基板的所述变薄部分。

8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：在除去所述第一基板的所述变薄部分之后减小所述第一基板的整个表面的厚度。

9.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：利用激光微水刀除去所述第一基板的所述变薄部分。

10.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：在粘合所述第一基板和所述第二基板之前，在所述第二基板的整个表面上形成所述保护膜。

11.一种半导体装置的制造方法，所述方法包括：

以第一元件和第二元件彼此相对的方式粘合具有所述第一元件的第一基板和具有所述第二元件的第二基板；

减小除所述第一基板的端部以外的内部区域的厚度；以及

除去所述第一基板的所述端部。

12.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：在粘合所述第一基板和所述第二基板之后，在所述第二基板的端部形成保护膜。

13.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：在所述第二基板的整个表面上形成保护膜之后，粘合所述第一基板和所述第二基板。

14.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：使用机械研磨方法减小所述第一基板的内部区域的厚度。

15.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：使用化学处理减小所述第一基板的内部区域的厚度。