[发明专利]用于高科技制造和装配处理的无尘空间工厂有效
申请号: | 201380005035.8 | 申请日: | 2013-01-09 |
公开(公告)号: | CN104081497B | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | 弗雷德里克·A·弗里奇 | 申请(专利权)人: | 福特尔法布公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司11262 | 代理人: | 周靖,郑霞 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 高科技 制造 装配 处理 空间 工厂 | ||
1.一种生产基板的方法,所述方法包括:
将多个基板处理工具固定在第一矩阵中,所述第一矩阵包括相对于彼此定向在垂直维度的至少两个所述处理工具,其中所述多个处理工具至少部分地位于第一工厂无尘空间中,所述第一工厂无尘空间包括第一边界和第二边界,且每个所述处理工具能够独立操作,并相对于其它处理工具以离散的方式可移动;
将第二组多个基板处理工具固定在第二矩阵中,所述第二矩阵包括相对于彼此定向在垂直维度的至少两个所述第二处理工具,其中所述多个处理工具至少部分地位于第二工厂无尘空间,所述第二工厂无尘空间包括第三边界和第四边界,且每个所述处理工具能够独立操作,并相对于其它处理工具以离散的方式可移动;
当所述基板在两个或两个以上的所述处理工具之间被传输时,将至少第一基板存储在载体中;
接收所述基板载体到第一处理工具端口中,其中每个工具被密封到所述第一边界和所述第二边界二者中的至少一个中的相应开口;
将所述基板从所述基板载体移到第一工具端口中;
对第一工具中的所述基板执行第一处理;
在执行所述第一处理之后,在所述基板载体中包含所述基板;
将所述基板载体传输到第二工具端口;
将所述基板从所述基板载体移到所述第二工具端口中;以及
对第二工具中的所述基板执行第二处理。
2.根据权利要求1所述的方法,还包括:
从所述第一工厂无尘空间移除所述基板载体;
将所述基板载体放置进所述第二工厂无尘空间。
3.根据权利要求2所述的方法,其中:
其中基板载体从工具端口被移动到工具端口的所述第二工厂无尘空间与其中基板载体从工具端口被移动到工具端口的所述第一工厂无尘空间是不同级别的环境。
4.根据权利要求2所述的方法,其中:
所述第二矩阵的工具被设计为对所述基板执行封装处理步骤。
5.根据权利要求4所述的方法,其中:
存在两种不同形式的自动化,以在所述第二工厂无尘空间环境内传输基板载体。
6.根据权利要求5所述的方法,其中:
所述两种不同形式的自动化包括在所述第二工厂无尘空间环境内传输两种不同形式的基板载体的能力。
7.根据权利要求1所述的方法,还包括:
提供两种不同形式的自动化,用于在所述第一工厂无尘空间内移动两种不同类型的基板载体。
8.根据权利要求7所述的方法,其中:
所述第一类型的基板载体包含半导体晶片;以及
所述第二类型的基板载体包含半导体晶片的部分。
9.根据权利要求1所述的方法,还包括:
提供一种形式的自动化,用于在所述第一工厂无尘空间内移动至少两种不同类型的基板载体。
10.根据权利要求2所述的方法,还包括:
固定包括第五边界和第六边界的第三工厂无尘空间;
从所述第一工厂无尘空间移除所述基板载体;
将所述基板载体放置进所述第三工厂无尘空间。
11.根据权利要求4所述的方法,其中:
在所述第二矩阵中的工具执行反应离子刻蚀步骤以形成通过硅通孔。
12.根据权利要求4所述的方法,其中:
在所述第二矩阵中的工具对所述基板执行电力测试处理。
13.根据权利要求4所述的方法,其中:
在所述第二矩阵中的工具执行焊料回流处理。
14.根据权利要求4所述的方法,其中:
在所述第二矩阵中的工具执行基板磨削处理。
15.根据权利要求4所述的方法,其中:
在所述第二矩阵中的工具执行基板抛光处理。
16.根据权利要求4所述的方法,其中:
在所述第二矩阵中的工具执行环氧涂层处理。
17.根据权利要求4所述的方法,其中:
在所述第二矩阵中的工具执行引线接合处理。
18.根据权利要求10所述的方法,其中:
在所述第二矩阵中的工具执行切割处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造