[发明专利]用于层叠封装架构的嵌入式结构在审

专利信息
申请号: 201380004585.8 申请日: 2013-06-28
公开(公告)号: CN104040713A 公开(公告)日: 2014-09-10
发明(设计)人: W·H·泰赫;V·拉古纳丹 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L23/64 分类号: H01L23/64;H01L23/66
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 何焜
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 层叠 封装 架构 嵌入式 结构
【权利要求书】:

1.一种组件,包括:

管芯,所述管芯嵌入在多层衬底中的电介质层中;

电介质区域,所述电介质区域嵌入在所述多层衬底中的电介质层中;

多层衬底,所述多层衬底包括管芯侧和焊盘侧,第一电介质区域和电介质层延伸至所述管芯侧;以及

在电介质区域中的多个通孔,所述通孔延伸至所述管芯侧上的焊盘。

2.如权利要求1所述的组件,其特征在于,进一步包括在电介质层中的耦合至所述电介质区域中的通孔的多个通孔。

3.如权利要求1所述的组件,其特征在于,嵌入在电介质区域中的管芯为第一管芯,所述组件进一步包括定位于衬底的管芯侧上的管芯上的附加的管芯。

4.如权利要求3所述的组件,其特征在于,进一步包括耦合至焊盘的衬底,其中所述衬底在第二管芯上延伸。

5.如权利要求1所述的组件,其特征在于,进一步包括耦合至焊盘的衬底。

6.如权利要求1所述的组件,其特征在于,嵌入在电介质层中的电介质区域为第一电介质区域,所述组件进一步包括嵌入在电介质层中的第二电介质区域,所述第二电介质区域通过第一电介质区域与管芯侧隔开。

7.如权利要求1所述的组件,其特征在于,所述电介质区域围绕上部电介质层中的管芯延伸。

8.如权利要求1所述的组件,其特征在于,所述电介质区域包括多个间隔开的电介质区域。

9.如权利要求1所述的组件,其特征在于,所述多层衬底包括无芯衬底。

10.如权利要求1所述的组件,其特征在于,所述管芯包括硅管芯,所述硅管芯包括硅通孔。

11.如权利要求6所述的组件,其特征在于,在第一电介质区域中的通孔为第一通孔,其中第二电介质区域包括其中的多个第二通孔,其中至少一些第二通孔从至少一些第一通孔偏移并且电耦合至所述至少一些第一通孔。

12.一种组件,包括:

多层衬底,所述多层衬底包括焊盘侧和管芯侧;

第一管芯,所述第一管芯嵌入在所述多层衬底的第一电介质层中,所述第一电介质层通过多个附加的电介质层与所述焊盘侧隔开;

第一电介质区域,所述第一电介质区域嵌入在第一电介质层中;

在第一电介质区域中的多个第一通孔,所述第一通孔电耦合至管芯侧上的焊盘;

第二电介质区域,所述第二电介质区域嵌入在所述第一电介质层中;以及

在第二电介质区域中的多个第二通孔,所述多个第二通孔电耦合至在第一电介质区域中的通孔;

其中所述第一电介质区域定位在所述第二电介质区域和所述管芯侧之间。

13.如权利要求12所述的组件,其特征在于,进一步包括耦合至所述管芯侧上的焊盘的衬底。

14.如权利要求12所述的组件,其特征在于,进一步包括耦合至所述管芯侧上的第一管芯的第二管芯。

15.如权利要求14所述的组件,其特征在于,进一步包括耦合至所述管芯侧上的焊盘的衬底,其中所述第二管芯定位在所述衬底和所述管芯侧之间。

16.一种方法,包括:

提供无芯载体;

在所述无芯载体上形成多个金属焊盘区域;

在所述无芯载体上和在金属焊盘区域上形成第一电介质层;

图案化第一电介质层以形成覆盖金属焊盘区域的电介质区域并且形成暴露无芯载体的腔,所述腔的尺寸被制定成容纳管芯;

在所述腔中定位管芯;

形成通过电介质区域的开口以暴露金属焊盘区域的表面;

在开口中沉积金属;以及

在管芯上和电介质区域上形成第二电介质层,使得管芯和电介质区域嵌入在第二电介质层中。

17.如权利要求16所述的方法,其特征在于,进一步包括:

在形成第二电介质层之后,形成通过第二电介质层的开口并且在开口中沉积金属;

形成多个附加的电介质层和在所述多个附加的电介质层中的金属通路;以及

移除所述无芯载体。

18.如权利要求17所述的方法,其特征在于,进一步包括,在移除所述无芯载体之后,将衬底耦合至金属焊盘区域。

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