[发明专利]形成用于太阳能电池的CIGS光吸收层的方法及CIGS太阳能电池有效
| 申请号： | 201380004295.3 | 申请日： | 2013-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN104011879A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 尹载浩;郭智惠;安世镇;尹庆勋;申基植;安承奎;赵阿拉;朴相炫;朴海森;崔森武 | 申请（专利权）人： | 韩国ENERGY技术硏究院 |
| 主分类号： | H01L31/0749 | 分类号： | H01L31/0749;H01L31/042;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 袁波;刘继富 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 用于 太阳能电池 cigs 光吸收 方法 | ||
1.一种利用三步共蒸发法形成用于太阳能电池的CIGS光吸收层的方法，所述方法包括如下步骤：
共蒸发In、Ga和Se以使其沉积的第一步骤；
共蒸发Cu和Se以使其沉积的第二步骤；和
共蒸发In、Ga和Se以使其沉积的第三步骤；
其中，在所述第一步骤中通过蒸发供应的Ga的量大于在所述第三步骤中通过蒸发供应的Ga的量。
2.根据权利要求1所述的形成用于太阳能电池的CIGS光吸收层的方法，其特征在于：在所述CIGS光吸收层中形成的耗尽层区域的深度为400nm或更大。
3.根据权利要求2所述的形成用于太阳能电池的CIGS光吸收层的方法，其特征在于：在其上形成所述GIGS光吸收层的衬底包含与钠钙玻璃衬底不同的材料。
4.根据权利要求2所述的形成用于太阳能电池的CIGS光吸收层的方法，其特征在于：在其上形成所述GIGS光吸收层的衬底为碱浓度为8重量％或更低的钠钙玻璃衬底。
5.根据权利要求1所述的形成用于太阳能电池的CIGS光吸收层的方法，其特征在于：在所述第一步骤和所述第三步骤中的In的蒸发量为在所述第一步骤中的Ga的蒸发量为或更多，并且在所述第三步骤中的Ga的蒸发量为
6.根据权利要求5所述的形成用于太阳能电池的CIGS光吸收层的方法，其特征在于：在300℃至450℃的衬底温度下进行所述第一步骤，并且在480℃至550℃的衬底温度下进行所述第二步骤和所述第三步骤。
7.一种CIGS太阳能电池，包括：
衬底；
在所述衬底上形成的电极层；和
在所述电极层上形成的CIGS光吸收层；
其中，在所述电极层和所述CIGS光吸收层的界面处的Ga/(In+Ga)的比率为0.45或更高。
8.根据权利要求7所述的CIGS太阳能电池，其特征在于：在所述CIGS光吸收层中形成的耗尽层的深度为400nm或更大。
9.根据权利要求8所述的CIGS太阳能电池，其特征在于：所述衬底包含与钠钙玻璃衬底不同的材料。
10.根据权利要求8所述的CIGS太阳能电池，其特征在于：所述衬底为碱浓度为8重量％或更低的钠钙玻璃衬底。
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