[发明专利]二次电池的阳极活性材料所用的氧化硅

权利要求书

1.一种氧化硅的制造方法，该方法包括：

混合并加热硅和二氧化硅；

供给能产生还原气氛的气体；以及

使混合物在10^-4托到10^-1托的压强下反应。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述能产生还原气氛的气体包括从H₂、NH₃、和CO所构成的组中选择的一种或多种、或者惰性气体与H₂、NH₃或CO的混合气体。

3.一种氧化硅的制造方法，该方法包括：

混合硅和二氧化硅；

加热混合物和产生还原气氛的材料；以及

使所述混合物在10^-4托到10^-1托的压强下反应。

4.如权利要求3所述的方法，其中，所述产生还原气氛的材料包括从活性碳、镁、铝、钽、钼、钙以及锌所构成的组中选择的一种或多种。

5.如权利要求1或3所述的方法，其中，所述压强保持到所述硅和二氧化硅的反应完成，以及

将所述能产生还原气氛的气体从反应室的一侧持续地注入并从该反应室的另一侧持续地去除。

6.如权利要求5所述的方法，其中，所述能产生还原气氛的气体为包含2vol％到5vol％H₂的含H₂气体。

7.二次电池的阳极活性材料中所包含的氧化硅，其中，所述氧化硅的X射线衍射(XRD)图谱中，40°到60°的2θ范围内的峰的最大高度(h₂)与15°到40°的2θ范围内的峰的最大高度(h₁)的比值满足0.40≤h₂∕h₁≤1.5。

8.如权利要求7所述的氧化硅，其中，所述氧化硅的XRD图谱中，40°到60°的2θ范围内的峰的最大高度(h₂)与15°到40°的2θ范围内的峰的最大高度(h₁)的比值满足0.45≤h₂∕h₁≤0.8。

9.如权利要求7所述的氧化硅，其中，所述氧化硅为SiOx(其中0<x<1)。

10.如权利要求9所述的氧化硅，其中，所述氧化硅是非晶态。

11.如权利要求7所述的氧化硅，其中，XRD图谱中15°到40°的2θ范围内的最大峰的半高宽(FWHM)在7°到15°的范围内。

12.如权利要求7所述的氧化硅，其中，XRD图谱中40°到60°的2θ范围内的最大峰的FWHM在5°到13°范围内。

13.如权利要求7所述的氧化硅，其中，所述氧化硅中的硅是晶态或非晶态。

14.如权利要求13所述的氧化硅，其中，当所述硅为晶态时，所述硅的晶体尺寸为300nm或更小。

15.一种阳极活性材料，包含如权利要求7所述的氧化硅。

16.一种二次电池，包括含阴极活性材料的阴极、隔膜、含权利要求15所述的阳极活性材料的阳极以及电解质。

17.如权利要求16所述的二次电池，其中，所述二次电池的首次效率在67％到85％范围内。