[发明专利]复合基板及其制法

权利要求书

1.一种复合基板，是压电基板与支承基板介由含Ar的非晶层接合而成的复合基板，所述压电基板为钽酸锂或铌酸锂的单晶基板，所述支承基板为硅的单晶基板，

所述非晶层从所述压电基板向着所述复合基板，具有第1层、第2层及第3层，所述第1层比所述第2层及所述第3层含有更多的构成所述压电基板的元素，所述第3层比所述第1层及所述第2层含有更多的构成所述支承基板的元素，所述第2层比所述第1层及所述第3层含有更多的Ar。

2.根据权利要求1所述的复合基板，其中，所述非晶层的厚度为4nm～12nm。

3.根据权利要求1或2所述的复合基板，其中，所述第3层的厚度比所述第1层及所述第2层厚。

4.根据权利要求1～3任意一项所述的复合基板，其中，Fe的含有率在检测限以下。

5.一种复合基板的制法，包括：

（a）准备钽酸锂或铌酸锂的单晶基板即压电基板、硅的单晶基板即支承基板的工序，

（b）在真空中向所述压电基板的接合面及所述支承基板的接合面照射Ar中性原子束的工序，

（c）冷却所述压电基板及所述支承基板的工序，

（d）令所述压电基板的束照射面与所述支承基板的束照射面接触，加压而接合两基板的工序，

（e）接合后，将所述压电基板研磨加工至规定厚度，然后以超过200℃的温度进行退火的工序。

6.根据权利要求5所述的复合基板的制法，其中，所述工序（e）中，在接合后研磨加工前，以80℃以上的温度进行退火。