[发明专利]等离子体处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种等离子体处理装置。

背景技术

例如，已知有如专利文献1所记载的那样、采用形成等离子体来促进蒸镀这一等离子体辅助法的蒸镀装置。虽然等离子体能促进形成蒸镀覆膜的蒸镀材料的化学反应，但会引起被称为轰击效应（bombardment effect）的现象，即，若与要在背面形成蒸镀覆膜的被蒸镀体接触，则会使被蒸镀体表面的物质弹出。为了对被蒸镀体（被处理品）的表面进行清洁，有时也会积极地利用等离子体的轰击效应。

将电子与等离子气体一同释放来形成等离子体的等离子体枪通常具有形成用于将释放出的电子向轴向引导的磁通的收束线圈。收束线圈所形成的磁通在从收束线圈的出口侧向轴向延伸后，在外侧折返，并返回到收束线圈的入口侧。在外侧折返的一部分磁通能贯穿被蒸镀体或通过被蒸镀体的附近。由于等离子体会顺着磁通移动，因此在现有的蒸镀装置中，会将少许等离子体引导到被蒸镀体的附近。因此，现有的蒸镀装置难以使被蒸镀体与等离子体完全隔离，等离子体的轰击效应可能会对被蒸镀体的表面造成损伤。

专利文献2中记载了如下发明：在利用因等离子气体而弹出的物质对被处理品进行涂敷的离子溅射装置中，设置一对形成夹着被处理品相互排斥的磁通的线圈，通过调节两线圈的磁通相抵消的CUSP面（cusp surface）与被处理品的位置关系进行调节从而控制离子溅射（轰击）的速度。由于本发明基本上将等离子体向被处理品引导，因此即使能调节溅射的强度，也无法使被处理品与等离子体隔离来完全防止溅射。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第4074370号公报

专利文献2：日本专利特开平4-329637号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

鉴于上述问题，本发明所要解决的技术问题在于，提供一种等离子体处理装置，即使使等离子体与被处理品接近或接触，也能将等离子体与被处理品隔离。

解决技术问题所采用的技术方案

为了解决上述问题，本发明的等离子体处理装置包括：腔室，该腔室内部具有对被处理品进行保持的保持空间、以及要形成等离子体的等离子体空间；等离子体枪，该等离子体枪向所述等离子体空间内放出电子来形成等离子体；以及在所述保持空间与所述等离子体空间之间形成横穿所述腔室的磁通的至少一对对置磁铁。

若采用该结构，上述对置磁铁的磁场会捕捉上述等离子体枪的磁通，从而防止上述等离子体枪的磁通靠近上述被处理品。即，上述对置磁铁所形成直线磁场会捕捉试图从上述等离子体空间进入到上述保持空间的离子及带电粒子，因此能防止等离子体与被处理品接触从而造成损伤。此外，由于等离子体泄漏到保持空间的量取决于上述对置磁铁的捕捉能力，因此也能利用上述对置磁铁的捕捉能力来调节轰击效应的程度。

此外，在本发明的等离子体处理装置中，所述对置磁铁的位置可调节。

若采用该结构，则能变更实质性封锁等离子体的等离子体空间的边界位置。特别是通过个别地变更上述对置磁铁的高度，从而能配合上述等离子体枪、上述腔室的非对称性来调节等离子体的屏蔽能力，能使进入上述保持空间的中性粒子的量、泄漏的等离子体的量均匀。

此外，本发明的等离子体处理装置在包围所述腔室的所述保持空间的部分具有对磁通进行屏蔽的电磁屏蔽件。

若采用该结构，则上述电磁屏蔽件对上述对置磁铁所形成的与直线磁场相反方向的磁通进行引导，从而能防止磁通通过保持区域。

此外，在本发明的等离子体处理装置中，所述对置磁铁由电磁铁构成，能对励磁电流进行调节。

若采用该结构，则能容易地控制等离子体泄漏到上述保持空间的量。

此外，在本发明的等离子体处理装置中，所述对置磁铁为多对磁铁。

根据该结构，俯视时，上述对置磁铁在侧方排列，从而形成横穿上述腔室的直线磁场，因此能在面上封锁等离子体。

发明效果

如上所述，根据本发明，在被处理品与等离子体之间形成直线磁场，从而能控制到达被处理品的等离子体的量，还能防止轰击。

附图说明

图1是本发明的一个实施方式的等离子体蒸镀装置的简要结构图。

图2是图1的对置磁铁的立体图。

图3是图2的对置磁铁的替代方案的立体图。

具体实施方式

图1表示本发明所涉及的等离子体处理装置的一个实施方式的等离子体蒸镀装置1的结构。等离子体蒸镀装置1具有腔室2、等离子体枪3、以及对置磁铁4。