[发明专利]缺陷检测方法、有机EL元件的修复方法以及有机EL显示面板有效

专利信息
申请号: 201380002539.4 申请日: 2013-02-22
公开(公告)号: CN103733728B 公开(公告)日: 2017-03-08
发明(设计)人: 岛村隆之;林田芳树;盐田昭教;土田臣弥 申请(专利权)人: 株式会社日本有机雷特显示器
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50
代理公司: 北京市中咨律师事务所11247 代理人: 徐健,段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 缺陷 检测 方法 有机 el 元件 修复 以及 显示 面板
【说明书】:

技术领域

本发明涉及有机EL(Electro-Luminescence:电致发光)显示面板的有机EL元件的缺陷检测方法。

背景技术

近年来,作为显示装置,在基板上设置有机EL元件的有机EL显示面板逐渐普及。有机EL显示面板具有如下等特征:由于利用进行自发光的有机EL元件,因此视觉识别性高;而且,由于是全固体元件,因此耐冲击性优异。

有机EL元件是电流驱动型的发光元件,在阳极和阴极的电极对之间,层叠进行通过载流子(空穴、电子)的复合实现的电致发光现象的发光层等多个有机EL功能层而构成。

在有机EL显示面板的制造过程中,存在垃圾等微小的异物附着、由于抗蚀剂的不良而在电极或有机EL功能层的表面产生局部的凹凸的情况。于是,在其上形成的有机EL功能层会局部产生膜厚不匀的区域,有时会局部产生未形成有机EL功能层的区域。一旦这样的区域形成,就会成为产生所谓的暗点(dark dot)缺陷的原因,所述暗点缺陷是在阳极和阴极之间发生短路而发光层变为不发光的缺陷。

在这样的暗点缺陷中,还存在:时而发生短路、时而不发生短路的情况;最初正常地进行发光、但随着时间的经过而变为暗点缺陷的情况。若在出货后发生暗点缺陷,则会使用户的利益受到损害,因此研究了各种各样的在出货前检测这样的潜在的暗点缺陷并实施修复的方法。

例如,在专利文献1中公开了一种使暗点显在化(明显地表现出来)的方法:对有机EL元件施加反向偏压,通过使阴极的Al发生迁移(migration),而使缺陷部发生击穿(breakdown)稳定地成为短路状态,从而使暗点显在化。

另外,在专利文献2中公开了一种修复缺陷部的方法:当对有机EL元件施加反向偏压时,电流集中地在缺陷部中流动而温度上升,在缺陷部中发生缺陷部被烧掉、因气化而蒸发、因氧化或碳化而变成绝缘体的某种变化而进行高电阻化,变为在缺陷部中不流动电流,由此修复缺陷部。

在先技术文献

专利文献1:日本特开2008-66003号公报

专利文献2:日本特开2003-51384号公报

发明内容

发明要解决的问题

但是,在专利文献1的方法中,那样的Al的迁移并不是那么容易在短时间内发生的,迁移的发生是不确切的,因此,在一部分缺陷部中有可能不会引起足以发生击穿的迁移而无法使潜在的暗点缺陷得到显在化。

另外,在专利文献2的方法中,随着缺陷部高电阻化,电流变得难以流动,因此,有可能会导致在完全成为绝缘体之前,缺陷部的变化停止,无法得到足够的修复效果而暗点缺陷残留下来。

本发明是鉴于上述问题而完成的发明,目的在于提供一种缺陷检测方法,能够使潜在的暗点缺陷更切实地显在化而检测出该缺陷,以使得暗点缺陷能够切实地得到修复。

用于解决问题的手段

本发明的一实施方式的缺陷检测方法是对有机EL元件进行的缺陷检测方法,所述有机EL元件具有第一电极、第二电极以及夹在所述第一电极和所述第二电极之间的功能层及发光层,所述缺陷检测方法包括以下工序:暗点显在化工序,通过在所述第一电极和所述第二电极之间施加用于使所述发光层不发光的暗点显在化的电压,在所述有机EL元件在所述第一电极和所述第二电极之间具有成为导致所述不发光的原因的缺陷部的情况下,使所述功能层的与所述缺陷部对应的第一部分的电阻下降;和暗点检测工序,在所述暗点显在化工序之后,在所述第一电极和所述第二电极之间施加如果是没有所述缺陷部的正常的有机EL元件的情况下它是会发光的电压即发光所需电压,对所述暗点进行检测。

发明的效果

本发明的一实施方式的显示面板中,在暗点显在化工序中,在第一电极和第二电极之间施加电压,在有机EL元件在第一电极和第二电极之间具有缺陷部的情况下,使功能层的第一部分的电阻下降。由此,成为电流集中地在第一部分中流动的短路状态,使潜在的暗点显在化,因此,在后续的暗点检测工序中,具有缺陷部的像素(子像素)不发光,能够确实地将具有该缺陷部的有机EL元件作为暗点检测出来。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式1涉及的显示面板的结构的示意框图。

图2是示意表示实施方式1涉及的有机EL显示面板的像素的俯视图。

图3是示意表示实施方式1涉及的有机EL元件的概略结构的剖视图,是沿图2的A-A′线的剖视图。

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